| 摘要 | 第1-7页 |
| Abstract | 第7-12页 |
| 第一章 绪论 | 第12-22页 |
| ·GIDL 电流及研究意义 | 第12-16页 |
| ·静态功耗与GIDL 泄漏电流 | 第12-14页 |
| ·GIDL 电流研究的意义 | 第14-16页 |
| ·GIDL 电流研究进展及现状 | 第16-20页 |
| ·GIDL 隧穿电流研究的起源 | 第16-17页 |
| ·GIDL 隧穿电流的研究发展及其现状 | 第17-19页 |
| ·GIDL 产生电流的研究发展及其现状 | 第19页 |
| ·国内研究现状 | 第19-20页 |
| ·本论文研究内容及其安排 | 第20-22页 |
| 第二章 GIDL 隧穿电流机制与特性 | 第22-36页 |
| ·带带隧穿电流形成机制 | 第22-27页 |
| ·方型势垒中电子隧穿基础理论 | 第22-23页 |
| ·三角势垒中的隧穿 | 第23-25页 |
| ·GIDL 带带隧穿电流 | 第25-27页 |
| ·电场对GIDL 隧穿电流的影响 | 第27-29页 |
| ·栅氧化层厚度对GIDL 隧穿电流的影响 | 第27-28页 |
| ·LDD 区掺杂对GIDL 隧穿电流的影响 | 第28-29页 |
| ·衬底偏压对GIDL 隧穿电流的调制 | 第29-31页 |
| ·研究衬底偏压的背景 | 第29-30页 |
| ·衬底偏压的实际影响 | 第30-31页 |
| ·GIDL 隧穿电流经典一维模型中的问题 | 第31-33页 |
| ·GIDL 隧穿电流及传统一维模型 | 第32页 |
| ·薄栅中相同V_(DG) 下的实验情形 | 第32-33页 |
| ·本章小结 | 第33-36页 |
| 第三章 GIDL隧穿效应中的D_(IFF)效应 | 第36-48页 |
| ·漏栅电压V_(DG) 对GIDL 隧穿的影响 | 第36-37页 |
| ·研究背景 | 第36-37页 |
| ·相同V_(DG) 下器件LDD 区界面附近的电场 | 第37页 |
| ·D_(IFF) 现象 | 第37-42页 |
| ·测试原理与方法 | 第37-38页 |
| ·实验与讨论 | 第38-42页 |
| ·温度对D_(IFF) 的影响 | 第42-43页 |
| ·电应力下的D_(IFF) 特性 | 第43-47页 |
| ·注入空穴对D_(IFF) 的影响 | 第44-46页 |
| ·注入电子对D_(IFF) 的影响 | 第46-47页 |
| ·本章小结 | 第47-48页 |
| 第四章 GIDL 隧穿电流探测器件损伤研究 | 第48-66页 |
| ·氧化层损伤机制及GIDL 隧穿电流探测原理 | 第48-53页 |
| ·氧化层及界面损伤机制 | 第48-50页 |
| ·LDD MOSFET 的结构及特性描述 | 第50-51页 |
| ·GIDL 电流探测原理 | 第51-53页 |
| ·低栅压LGV 应力下超薄栅超短沟 LDD nMOS 器件退化 | 第53-60页 |
| ·器件与实验设计 | 第53页 |
| ·LGV 应力对器件转移输出曲线的影响 | 第53-55页 |
| ·GIDL 隧穿电流探测 | 第55-57页 |
| ·LGV 应力下的器件性能的退化 | 第57-60页 |
| ·最大衬底电流应力中的GIDL 隧穿电流 | 第60-64页 |
| ·最大衬底电流应力实验 | 第60-61页 |
| ·空穴注入假设与空穴注入 | 第61-64页 |
| ·本章小结 | 第64-66页 |
| 第五章 GIDL 应力特性研究 | 第66-88页 |
| ·GIDL 应力注入原理及方法 | 第66-70页 |
| ·GIDL 应力注入原理 | 第66-68页 |
| ·超薄栅中GIDL 应力方法 | 第68-69页 |
| ·GIDL 应力测试流程 | 第69-70页 |
| ·单程GIDL 应力注入 | 第70-76页 |
| ·测试实验以及器件 | 第70-71页 |
| ·GIDL 应力损伤类型 | 第71页 |
| ·相同V_(DG) 下的GIDL 应力 | 第71-73页 |
| ·相同V_G 下的GIDL 应力 | 第73-74页 |
| ·相同V_D 下的GIDL 应力 | 第74-75页 |
| ·结论 | 第75-76页 |
| ·交替应力中的GIDL 应力注入 | 第76-80页 |
| ·实验方法和器件 | 第76-77页 |
| ·两种厚度的栅氧化层下GIDL 应力比较 | 第77-78页 |
| ·GIDL 应力在交替应力下的器件退化 | 第78-80页 |
| ·GIDL 空穴注入与其他空穴注入应力比较 | 第80-86页 |
| ·实验测量 | 第81页 |
| ·阈值电压、跨导、线性区和饱和区漏电流退化现象 | 第81-82页 |
| ·退化机理 | 第82-85页 |
| ·三种空穴注入应力分类 | 第85-86页 |
| ·本章小结 | 第86-88页 |
| 第六章 GIDL 产生电流特性研究 | 第88-116页 |
| ·产生电流的形成 | 第88-91页 |
| ·产生电流的形成机理 | 第88-89页 |
| ·产生电流中的陷阱和氧化层电荷 | 第89-91页 |
| ·漏端电压对产生电流的影响 | 第91-93页 |
| ·产生率最大化因子 | 第91-92页 |
| ·不同漏偏压下的产生电流曲线的漂移 | 第92-93页 |
| ·衬底偏压对产生电流的调制效应 | 第93-98页 |
| ·衬底偏压对产生电流的影响 | 第93-97页 |
| ·V_D=0V 时产生电流与衬底电压的关系 | 第97-98页 |
| ·产生电流中的陷阱特性 | 第98-102页 |
| ·pMOSFET 中的产生电流 | 第102-106页 |
| ·pMOSFET 产生电流的机理 | 第102页 |
| ·pMOSFET 产生电流中的陷阱特性 | 第102-104页 |
| ·pMOSFET 产生电流衬底偏压调制效应 | 第104-106页 |
| ·高栅压电子注入损伤下的产生电流 | 第106-114页 |
| ·nMOSFET 下的情形 | 第106-111页 |
| ·pMOSFET 高栅压下的应用 | 第111-114页 |
| ·本章小结 | 第114-116页 |
| 第七章 结束语 | 第116-120页 |
| ·本文的主要结论 | 第116-119页 |
| ·未来的工作 | 第119-120页 |
| 致谢 | 第120-122页 |
| 参考文献 | 第122-134页 |
| 论文期间研究成果 | 第134-136页 |