| 摘要 | 第1-4页 |
| ABSTRACT | 第4-8页 |
| 第一章 绪论 | 第8-14页 |
| ·课题的来源与意义 | 第8-9页 |
| ·SOI 技术概述 | 第9-10页 |
| ·SOI 器件的特点 | 第9页 |
| ·SOI 硅材料片制备技术 | 第9-10页 |
| ·MOSFET SPICE 模型简介 | 第10-12页 |
| ·SOI SPICE 器件模型选择 | 第11-12页 |
| ·国内外SOI SPICE 器件模型参数提取技术研究现状 | 第12页 |
| ·本论文的技术要点和工作安排 | 第12-14页 |
| 第二章 部分耗尽SOI MOS 器件研究 | 第14-21页 |
| ·部分耗尽（PD）与全耗尽（FD）SOI MOS 器件 | 第14-15页 |
| ·PD SOI MOS 器件特性 | 第15-18页 |
| ·浮体效应 | 第15-17页 |
| ·自加热效应 | 第17页 |
| ·背栅效应 | 第17页 |
| ·SOI 器件的瞬态浮体效应和瞬态特性 | 第17-18页 |
| ·抑制PD SOI MOS 器件浮体效应的技术 | 第18-20页 |
| ·体接触技术 | 第18-20页 |
| ·小结 | 第20-21页 |
| 第三章 BSIMPD 模型研究 | 第21-35页 |
| ·概述 | 第21页 |
| ·MOS I-V 模型 | 第21-23页 |
| ·浮体作用和有效体电位 | 第22页 |
| ·高体电位（Vbs ）区的阈值电压 | 第22-23页 |
| ·体电流模型 | 第23-27页 |
| ·二极管和寄生BJT 电流 | 第23-25页 |
| ·新碰撞电离电流等式 | 第25-26页 |
| ·栅极导致漏极漏电流（GIDL） | 第26页 |
| ·体接触电流 | 第26页 |
| ·体接触寄生效应 | 第26-27页 |
| ·MOS C-V 模型 | 第27-31页 |
| ·电荷守恒 | 第28页 |
| ·内在电荷 | 第28-30页 |
| ·源/漏结电荷 | 第30页 |
| ·外部电容 | 第30-31页 |
| ·体接触寄生效应 | 第31页 |
| ·MOS 温度依赖性和自加热效应 | 第31-33页 |
| ·温度依赖性 | 第31-32页 |
| ·自加热效应 | 第32-33页 |
| ·模型语法 | 第33-34页 |
| ·语法结构 | 第33页 |
| ·语法解释 | 第33-34页 |
| ·小结 | 第34-35页 |
| 第四章 0.8μM CMOS/SOI SPICE 模型参数提取验证 | 第35-74页 |
| ·准备工作 | 第35-38页 |
| ·模型选择 | 第35页 |
| ·SOI 工艺参数选择 | 第35页 |
| ·0.8um CMOS/SOI 工艺技术 | 第35-36页 |
| ·SOI 硅材料片规格 | 第36-37页 |
| ·SOI SPICE 器件模型参数提取的设备软件准备 | 第37-38页 |
| ·SOI SPICE 器件模型参数的提取策略、器件结构和测试条件设计 | 第38-48页 |
| ·提取策略 | 第38-41页 |
| ·器件结构设计 | 第41-46页 |
| ·测试条件设计 | 第46-48页 |
| ·0.8UM SOI SPICE 模型参数提取 | 第48-68页 |
| ·0.8um SOI NMOSFET 器件模型参数提取 | 第48-59页 |
| ·0.8um SOI PMOSFET 器件模型参数提取 | 第59-68页 |
| ·参数验证 | 第68-73页 |
| ·小结 | 第73-74页 |
| 第五章 结束语 | 第74-75页 |
| 致谢 | 第75-76页 |
| 参考文献 | 第76-79页 |
| 附录：作者在攻读硕士学位期间发表的论文 | 第79-80页 |
| 附录：BSIMPD 模型参数（部分） | 第80-83页 |
