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MOSFET热载流子退化效应的研究

中文摘要第1-8页
英文摘要第8-10页
第一章 绪论第10-17页
 §1.1 选题依据及研究价值第10-12页
 §1.2 国内外研究动态第12-13页
 §1.3 本文的主要创新之处第13-15页
 §1.4 本文的主要章节安排第15-17页
第二章 MOSFET的热载流子退化第17-38页
 §2.1 MOS器件尺寸缩小的限制及可靠性物理第17-19页
 §2.2 MOSFET的热载流子产生机理第19-21页
 §2.3 衬底电流模型第21-24页
 §2.4 nMOSFET与pMOSFET的退化第24-31页
  §2.4.1 nMOS晶体管的退化第25-27页
  §2.4.2 pMOS晶体管的退化第27-29页
  §2.4.3 热载流子退化对CMOS电路性能的影响第29-31页
 §2.5 MOSFET退化的饱和效应及模型第31-34页
 §2.6 热载流子退化的温度特性第34-38页
第三章 器件特性的热载流子退化分析第38-64页
 §3.1 MOSFET直流输出特性的热载流子退化第38-45页
  §3.1.1 线性区第39-42页
  §3.1.2 饱和区第42-43页
  §3.1.3 模型与实验及模拟结果比较第43-45页
 §3.2 MOSFET阈值电压的热载流子退化第45-54页
  §3.2.1 表面势公式第45-49页
  §3.2.2 阈值电压模型第49-52页
  §3.2.3 模型结果与二维数值模拟比较第52-54页
 §3.3 热载流子退化对MOSFET沟道电场的改变第54-58页
  §3.3.1 速度饱和区的界面电荷第54-55页
  §3.3.2 速度饱和区的沟道电场第55-58页
 §3.4 MOSFET亚阈区特性的热载流子退化第58-61页
 §3.5 MOSFET射频特性的热载流子退化第61-64页
第四章 电应力实验与BSIM2参数提取第64-82页
 §4.1 BSIM2模型原理第64-70页
  §4.1.1 阈值电压公式第65页
  §4.1.2 漏电流模型第65-69页
  §4.1.3 输出电阻模型第69-70页
 §4.2 电应力实验第70-73页
  §4.2.1 实验系统组成第70-72页
  §4.2.2 电应力实验细节第72-73页
 §4.3 器件的BSIM2参数提取第73-75页
 §4.4 结果与讨论第75-82页
  §4.4.1 器件退化前测量结果与模型比较第75-79页
  §4.4.2 器件退化后测量结果与模型比较第79-82页
第五章 MOSFET热载流子退化的寿命预测第82-103页
 §5.1 基于衬底电流的寿命预测技术第82-86页
  §5.1.1 器件寿命与衬底电流的关系第82-85页
  §5.1.2 动态应力的考虑第85-86页
 §5.2 衬底电流参数及退化参数的提取第86-92页
  §5.2.1 衬底电流模型参数提取第86-90页
  §5.2.2 退化/寿命模型参数H、m、n提取第90-92页
 §5.3 MOS电路退化/寿命模拟第92-98页
  §5.3.1 BERT中电路寿命模拟器(CAS模块)原理第92-95页
  §5.3.2 MOS电路退化/寿命模拟实例第95-98页
 §5.4 MOS器件热载流子退化寿命的电子辐射预测技术第98-103页
  §5.4.1 预测原理第98-100页
  §5.4.2 辐射实验及预测结果第100-103页
第六章 MOSFET抗热载流子退化技术第103-119页
 §6.1 抗热载流子退化的CMOS数字电路结构第103-109页
  §6.1.1 衬底电流与电路性能退化第104-105页
  §6.1.2 抗热电子退化的电路设计原理第105页
  §6.1.3 模拟与验证第105-109页
 §6.2 抗热载流子退化的MOS模拟电路结构第109-115页
  §6.2.1 模拟电路的热载流子退化第110-111页
  §6.2.2 抗热载流子退化效应的MOS模拟电路结构第111-112页
  §6.2.3 模拟与验证第112-115页
 §6.3 漏极工程(Drain engineering)第115-117页
 §6.4 栅氧化层的抗热载流子加固第117-119页
总结第119-120页
致谢第120-121页
附录A第121-125页
参考文献第125-135页
作者近年发表的学术论文第135页

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