| 摘要 | 第1-6页 |
| Abstract | 第6-10页 |
| 第一章 绪论 | 第10-20页 |
| ·GaN 微波功率器件的优势 | 第10-12页 |
| ·AlGaN/GaN 材料与HEMT 器件发展历程以及本文的研究意义 | 第12-14页 |
| ·AlGaN/GaN 材料与HEMT 器件发展历程 | 第12-13页 |
| ·本文的研究意义 | 第13-14页 |
| ·FP-HEMTs 国际国内研究现状 | 第14-19页 |
| ·本文的主要工作与安排 | 第19-20页 |
| 第二章 ALGAN/GAN FP-HEMTS 的制造与击穿电压的测试方法 | 第20-30页 |
| ·AlGaN /GaN FP-HEMTs 的制造 | 第20-24页 |
| ·AlGaN/GaN HEMTs 制造的工艺流程 | 第20-22页 |
| ·AlGaN/GaN FP-HEMTs 的制造 | 第22-24页 |
| ·击穿电压的测量 | 第24-28页 |
| ·常规击穿电压测量的方法以及其局限性 | 第24-25页 |
| ·漏极电流注入技术（DCIT） | 第25-28页 |
| ·场板提高击穿电压机理 | 第28-29页 |
| ·本章小结 | 第29-30页 |
| 第三章 场板结构ALGAN/GAN HEMTS 的电流崩塌机理 | 第30-40页 |
| ·AlGaN/GaN HEMTs 中的电流崩塌现象 | 第30-33页 |
| ·电流崩塌现象 | 第30-32页 |
| ·电流崩塌现象的虚栅解释模型 | 第32-33页 |
| ·AlGaN/GaN FP-HEMTs 的电流崩塌机理 | 第33-37页 |
| ·钝化与场板器件在不同漏电压下的电流崩塌 | 第33-35页 |
| ·场板器件电流崩塌机理研究 | 第35-37页 |
| ·本章小结 | 第37-40页 |
| 第四章 ALGAN/GAN FP-HEMTS 场板尺寸的优化分析 | 第40-48页 |
| ·对不同场板尺寸的AlGaN/GaN FP-HEMTs 的仿真 | 第40-44页 |
| ·ATLAS（Silvaco）软件 | 第40-41页 |
| ·不同场板尺寸AlGaN/GaN FP-HEMTs 的仿真和分析 | 第41-44页 |
| ·AlGaN/GaN FP-HEMTs 场板尺寸的优化分析 | 第44-47页 |
| ·本章小结 | 第47-48页 |
| 第五章 结束语 | 第48-50页 |
| 致谢 | 第50-52页 |
| 参考文献 | 第52-58页 |
| 作者攻读硕士期间的研究成果和参加的科研项目 | 第58-59页 |
