| 摘要 | 第1-4页 |
| Abstract | 第4-7页 |
| 第一章 绪论 | 第7-13页 |
| ·硅集成电路技术发展概况及存在的问题 | 第7-8页 |
| ·SOI 技术的发展 | 第8-10页 |
| ·本论文的工作 | 第10-13页 |
| 第二章 SOI-LDMOS 的击穿特性 | 第13-23页 |
| ·SOI 高压器件的耐压模型 | 第13-16页 |
| ·漂移区完全耗尽 | 第13-14页 |
| ·漂移区不完全耗尽 | 第14-15页 |
| ·均匀掺杂漂移区全域耐压模型 | 第15-16页 |
| ·SOI 高压器件的击穿判据 | 第16-17页 |
| ·全耗尽判据 | 第16-17页 |
| ·体内击穿判据 | 第17页 |
| ·SOI 功率器件的耐压结构 | 第17-21页 |
| ·RESURF 原理的应用 | 第17-19页 |
| ·电阻场板的应用 | 第19-20页 |
| ·台阶状埋氧化层 | 第20-21页 |
| ·各种耐压结构的比较 | 第21页 |
| ·本章小结 | 第21-23页 |
| 第三章 图形化 SOI-LDMOS 电容特性的改进 | 第23-31页 |
| ·图形化SOI-LDMOS 的特点 | 第23-24页 |
| ·电容特性研究 | 第24-27页 |
| ·LDMOS 电容的特性 | 第25-26页 |
| ·SOI-LDMOS 与LDMOS 的电容比较 | 第26-27页 |
| ·图形化SOI-LDMOS 电容特性的改进 | 第27-29页 |
| ·Step ldd 结构 | 第27-28页 |
| ·层叠ldd 结构 | 第28-29页 |
| ·鸟嘴结构 | 第29页 |
| ·本章小结 | 第29-31页 |
| 第四章 SOI-LDMOS 的频率特性研究 | 第31-43页 |
| ·图形化SOI-LDMOS 跨导特性 | 第31-37页 |
| ·栅氧化层厚度的影响 | 第32-33页 |
| ·漂移区浓度的影响 | 第33-34页 |
| ·沟道浓度的影响 | 第34-36页 |
| ·SOI 层厚度的影响 | 第36-37页 |
| ·SOI-LDMOS 的截止频率 | 第37-41页 |
| ·截止频率的提取方法 | 第37-38页 |
| ·结构工艺参数的影响 | 第38-41页 |
| ·本章小结 | 第41-43页 |
| 第五章 SOI 器件特有物理问题的研究 | 第43-51页 |
| ·自加热效应 | 第43页 |
| ·器件参数对自加热效应的影响 | 第43-46页 |
| ·浮体效应 | 第46-47页 |
| ·器件参数对浮体效应的影响 | 第47-49页 |
| ·本章小结 | 第49-51页 |
| 第六章 SOI 器件的若干应用 | 第51-55页 |
| 第七章 结束语 | 第55-57页 |
| 致谢 | 第57-59页 |
| 参考文献 | 第59-62页 |
| 攻硕期间取得的研究成果 | 第62-63页 |