| 摘要 | 第1-4页 |
| Abstract | 第4-7页 |
| 第一章 绪论 | 第7-15页 |
| ·VDMOS器件简介 | 第7-11页 |
| ·功率器件发展历史 | 第7-10页 |
| ·VDMOS器件结构和特点 | 第10-11页 |
| ·VDMOS器件研究进展 | 第11页 |
| ·VDMOS研究方向 | 第11-12页 |
| ·本论文的研究意义和研究内容 | 第12-15页 |
| 第二章 功率VDMOS准饱和特性研究 | 第15-27页 |
| ·准饱和特性机理 | 第15-21页 |
| ·准饱和特性的危害 | 第18页 |
| ·P体间距（栅宽）对准饱和特性的影响 | 第18-20页 |
| ·外延层掺杂浓度对准饱和特性的影响 | 第20-21页 |
| ·准饱和特性的改善 | 第21-25页 |
| ·本章小结 | 第25-27页 |
| 第三章 VDMOS击穿特性研究 | 第27-37页 |
| ·高压大电流VDMOS的Superjunction结构 | 第27-30页 |
| ·超结理论基本原理 | 第27-29页 |
| ·超结理论在应用中的缺陷 | 第29-30页 |
| ·PFVDMOS结构简介 | 第30-32页 |
| ·低压VDMOS击穿电压分析 | 第32-33页 |
| ·击穿电压和外延层浓度的关系 | 第32页 |
| ·击穿电压和沟道浓度的关系 | 第32-33页 |
| ·阈值电压 | 第33-37页 |
| 第四章 VDMOS射频特性研究 | 第37-47页 |
| ·VDMOS与LDMOS在频率特性上的比较 | 第37-39页 |
| ·影响跨导特性的因素 | 第39-40页 |
| ·栅氧化层厚度对跨导的影响 | 第39-40页 |
| ·外延层浓度对跨导的影响 | 第40页 |
| ·影响VDMOS电容特性的因素 | 第40-47页 |
| ·栅漏电容的构成 | 第41-43页 |
| ·沟道浓度对电容特性的影响 | 第43-44页 |
| ·漂移区浓度对电容特性的影响 | 第44-47页 |
| 第五章 VDMOS新结构 | 第47-53页 |
| ·虚拟栅结构简介 | 第47-48页 |
| ·新结构器件及其特性分析 | 第48-53页 |
| ·新结构的提出 | 第48-49页 |
| ·电容特性 | 第49-50页 |
| ·击穿特性 | 第50-53页 |
| 第六章 结束语 | 第53-55页 |
| ·总结 | 第53页 |
| ·未来计划 | 第53-55页 |
| 致谢 | 第55-56页 |
| 参考文献 | 第56-59页 |
| 研究成果 | 第59-60页 |