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场效应器件
新型凹槽栅极应变Ge NMOS器件设计与特性研究
FinFET SRAM总剂量效应研究
4H-SiC非均匀掺杂浮结UMOSFET的模拟研究
针对缓冲层改进的4H-SiC MESFETs新结构设计与仿真
具有新型栅结构的4H-SiC MESFETs设计及仿真
非极性面AlGaN/GaN异质结各向异性迁移率的理论研究
新型AlGaN基电力电子器件研究
晶格匹配InAlN/GaN异质结欧姆接触的电学特性研究
GaN基MOS二极管界面特性研究
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表面处理对AlGaN/GaN HEMT器件电学性能的影响
GaN基增强型HEMT器件及E/D模电路研究
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550V高压SOI-LIGBT器件ESD响应特性及模型研究
SOI FinFET器件与组合逻辑电路单粒子效应研究
退火条件对4H-SiC/SiO2 MOS电容特性的影响研究
高κ叠栅AlGaN/GaN MOS-HEMT器件特性研究
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用于微光CCD的关联成像软件开发
4H-SiC MOSFETs SiC-SiO2界面附近陷阱俘获和1/f噪声相关性研究
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BNTM铁电栅石墨烯场效应晶体管的制备及性能研究
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隧穿场效应晶体管的仿真研究
苝酰亚胺类分子的设计合成及性能研究
低维场效应管的电荷输运：金属门电极界面效应的影响
石墨烯沟道铁电场效应晶体管电学性能的模拟
基于功能性有机材料的器件应用研究
二维层状材料MoS2在场效应晶体管及存储器中的应用研究
氢热处理优化FinFET沟道表面研究
0.18μm部分耗尽SOI H形栅NMOSFET常温下热载流子效应的研究
新型无结场效应晶体管的研究
无结场效应晶体管的性能研究
高性能石墨烯场效应晶体管生物传感器实时监测单细胞释放的一氧化氮
40纳米NBTI建模及其可靠性设计研究
高性能有机场效应晶体管的研究
大电流SiC MOSFET器件关键技术与器件研究
基于0.13μm工艺的split-gate DMOS设计
GaN基异质结构及HEMT器件制备研究
AlGaN/GaN凹槽栅MISHEMT器件工艺与新结构研究
硅基GaN功率MISFET新结构研究
高压低功耗MOS栅控功率器件新结构与模型研究
600V高雪崩耐量平面栅VDMOS器件优化设计
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SiC超结VDMOS研究与优化设计
GaN HEMT器件和GaAs PHEMT器件对比特性研究
极化库仑场散射对GaN基电子器件栅源和栅漏寄生电阻的影响研究
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