| 摘要 | 第5-6页 |
| ABSTRACT | 第6-7页 |
| 符号对照表 | 第11-12页 |
| 缩略语对照表 | 第12-15页 |
| 第一章 绪论 | 第15-25页 |
| 1.1 SiC MESFET优势 | 第15-17页 |
| 1.2 4H-SiC MESFET研究现状 | 第17-22页 |
| 1.3 本文主要研究内容 | 第22-25页 |
| 第二章 缓冲层沟道对器件性能的影响 | 第25-35页 |
| 2.1 数值模拟工具ISE-TCAD及其物理模型 | 第25-27页 |
| 2.2 DR-MESFET结构及其直流特性 | 第27-31页 |
| 2.2.1 DR-MESFET结构 | 第27-28页 |
| 2.2.2 输出电流 | 第28-29页 |
| 2.2.3 击穿电压 | 第29-30页 |
| 2.2.4 最大输出功率密度 | 第30-31页 |
| 2.3 交流特性 | 第31-34页 |
| 2.3.1 跨导 | 第31-32页 |
| 2.3.2 栅源电容、漏栅电容 | 第32-33页 |
| 2.3.3 截止频率、最大振荡频率 | 第33-34页 |
| 2.4 本章小结 | 第34-35页 |
| 第三章 具有双凹陷缓冲层、多凹陷沟道 4H-SiC MESFET设计 | 第35-49页 |
| 3.1 DRB-MESFET结构 | 第35-37页 |
| 3.2 直流特性 | 第37-40页 |
| 3.3 交流特性 | 第40-43页 |
| 3.4 缓冲层凹陷深度Hdr的影响 | 第43-48页 |
| 3.4.1 H_(dr)对直流特性的影响 | 第44-46页 |
| 3.4.2 H_(dr)对交流特性的影响 | 第46-48页 |
| 3.5 本章小结 | 第48-49页 |
| 第四章 具有 Γ 栅凹陷缓冲层 4H-SiC MESFET设计 | 第49-63页 |
| 4.1 ΓRB-MESFET结构 | 第49-50页 |
| 4.2 直流特性 | 第50-53页 |
| 4.3 交流特性 | 第53-56页 |
| 4.4 高栅相对沟道表面高度Hug的影响 | 第56-62页 |
| 4.4.1 H_(ug)对直流特性的影响 | 第56-60页 |
| 4.4.2 H_(ug)对频率特性的影响 | 第60-62页 |
| 4.5 本章小结 | 第62-63页 |
| 第五章 结论与展望 | 第63-65页 |
| 5.1 结论 | 第63-64页 |
| 5.2 研究展望 | 第64-65页 |
| 参考文献 | 第65-69页 |
| 致谢 | 第69-71页 |
| 作者简介 | 第71-73页 |