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场效应器件
40nm工艺代中道寄生效应及模型研究
多胞MOSFET器件小信号模型参数提取和灵敏度分析
深纳米工艺代三维FinFET栅围寄生效应及模型研究
串行通信模式线阵CCD驱动电子系统研究及其应用
GaSb/InAs异质结隧穿场效应晶体管的性能分析
SOI MOSFET高频特性及噪声模型研究
基于BSIM IMG的D-Gate SOI MOSFET模型的研究
高压SOI LDMOS器件的结构设计与仿真
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便携式线阵CCD综合测量仪的设计与实现
延伸摩尔定律--基于GeSn的高性能、低功耗场效应晶体管研究
场效应管瞬态电热特性的谱元法分析
硅基自旋注入器件及其界面特性研究
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GaAs PHEMT器件电学特性与器件仿真的研究
氮等离子体处理对SiC MOS栅氧化膜TDDB特性的影响
VD功率MOSFET失效机理及寿命预测技术研究
深亚微米MOS场效应晶体管小信号及噪声建模技术研究
MOS管在不同温度下的可靠性探究
基于溶液法制备N-杂化噻吩类有机场效应晶体管及性能研究
基于光调控的浮栅型有机场效应晶体管非易失性存储器研究
硅烯场效应晶体管中电子自旋和谷自由度的全电学调控
新型碳基场效应管在逻辑电路中的应用研究
基于新型碳基场效应管构建的存储电路研究
基于多组分掺杂的柔性低电压有机场效应晶体管存储器的研究
基于溶液加工宽带隙半导体的有机场效应晶体管存储器的研究
槽栅型二维类超结LDMOS研究
有机双极型薄膜场效应晶体管的制备和应用
石墨烯场效应管与射频集成电路研究
高k栅介质/金属栅GaSb MOSFET及其应力特性研究
40nm MOSFET版图邻近效应模型的研究和建立
双势垒量子点CCD读出
60V 功率U-MOSFET失效分析与再设计
快速瞬态响应无片外电容LDO研究与设计
石墨烯场效应晶体管太赫兹光电特性研究
基于场效应晶体管结构的纳米复合薄膜光电探测器研究
功率MOSFET的终端耐压特性研究
锗锡隧穿场效应晶体管应变工程和异质结工程研究
功率VDMOSFET终端结构的击穿特性研究与设计
700V功率VDMOS设计
基于TFET器件模型的单元特性仿真
应力对于AlGaN/GaN HEMT电学性能影响的研究
VDMOS性能退化实验及接触热阻的研究
单层二硫化钼场效应晶体管性能影响因素的研究
超短沟道二硫化钼场效应晶体管的制备及其电学性质研究
功率半导体场效应器件中的辐射效应研究
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