二维层状材料MoS2在场效应晶体管及存储器中的应用研究
| 摘要 | 第4-5页 |
| Abstract | 第5页 |
| 第一章 绪论 | 第8-19页 |
| 1.1 二维层状材料的发展 | 第8页 |
| 1.2 MoS_2场效应晶体管 | 第8-13页 |
| 1.2.1 MoS_2简介 | 第8-9页 |
| 1.2.2 场效应晶体管简介 | 第9-10页 |
| 1.2.3 MoS_2场效应晶体管研究现状 | 第10-12页 |
| 1.2.4 MoS_2场效应晶体管应用 | 第12-13页 |
| 1.3 MoS_2场效应型存储器 | 第13-17页 |
| 1.3.1 非易失性存储器的简介 | 第13-14页 |
| 1.3.2 MoS_2场效应型存储器的研究现状 | 第14-17页 |
| 1.4 本论文的选题依据及研究内容 | 第17-19页 |
| 第二章 MoS_2场效应晶体管的研究 | 第19-32页 |
| 2.1 引言 | 第19页 |
| 2.2 MoS_2的制备与表征 | 第19-24页 |
| 2.3 绝缘层优化MoS_2场效应晶体管 | 第24-25页 |
| 2.4 电极优化MoS_2场效应晶体管 | 第25-28页 |
| 2.5 构型优化MoS_2场效应晶体管 | 第28-31页 |
| 2.6 本章小结 | 第31-32页 |
| 第三章 MoS_2场效应型非易失性存储器的研究 | 第32-44页 |
| 3.1 引言 | 第32-33页 |
| 3.2 MoS_2存储器的制备 | 第33-34页 |
| 3.3 MoS_2存储器的存储性能 | 第34-38页 |
| 3.4 不同测试参数对存储性能的影响 | 第38-39页 |
| 3.5 氧等离子体处理的机理 | 第39-42页 |
| 3.6 本章小结 | 第42-44页 |
| 第四章 结论 | 第44页 |
| 参考文献 | 第44-50页 |
| 致谢 | 第50页 |
| 在学期间公开发表论文、申请专利及参加会议情况 | 第50页 |
