| 摘要 | 第5-6页 |
| ABSTRACT | 第6-7页 |
| 符号对照表 | 第12-14页 |
| 缩略语对照表 | 第14-17页 |
| 第一章 绪论 | 第17-23页 |
| 1.1 研究背景和意义 | 第17-19页 |
| 1.2 国内外研究现状 | 第19-20页 |
| 1.3 论文结构 | 第20-23页 |
| 第二章 SiC MOSFET中缺陷陷阱及其对器件性能的影响 | 第23-35页 |
| 2.1 SiC MOSFET氧化层陷阱及其对器件性能的影响 | 第23-29页 |
| 2.1.1 栅氧化层中的电荷 | 第23-24页 |
| 2.1.2 SiC MOSFET边界陷阱与近界面SiO_2中的缺陷结构 | 第24-28页 |
| 2.1.3 SiC MOSFET氧化层陷阱对器件性能的影响 | 第28-29页 |
| 2.2 SiC MOSFET界面态及其对器件性能的影响 | 第29-34页 |
| 2.2.1 SiC-SiO_2界面态的微观本质 | 第29-31页 |
| 2.2.2 SiC-SiO_2界面态的能量分布 | 第31-32页 |
| 2.2.3 SiC MOSFET界面态对器件性能的影响 | 第32-34页 |
| 2.3 小结 | 第34-35页 |
| 第三章 SiC MOSFET界面特性的电学表征方法与噪声表征方法 | 第35-61页 |
| 3.1 SiC MOSFET界面特性的电学表征方法 | 第35-44页 |
| 3.1.1 SiC-SiO_2界面态的时间常数 | 第35-36页 |
| 3.1.2 基于高频电容-电压（C-V）法的界面特性表征方法 | 第36-41页 |
| 3.1.3 基于电荷泵浦（CP）法的界面态密度提取方法 | 第41-43页 |
| 3.1.4 基于转移特性（I-V）测量的电离辐射诱导陷阱数量提取方法 | 第43-44页 |
| 3.2 MOSFEF界面特性的噪声表征方法 | 第44-49页 |
| 3.2.1 噪声无损检测方法的特点 | 第44-45页 |
| 3.2.2 MOSFET中的典型噪声 | 第45-47页 |
| 3.2.3 SiMOSFET低频 1/f噪声与氧化层陷阱密度相关性 | 第47-49页 |
| 3.3 基于 1/f噪声的SiC MOSFET中SiC-SiO_2界面附近陷阱密度表征方法 | 第49-59页 |
| 3.3.1 4H-SiC MOSFET中SiC-Si O_2界面态对器件低频 1/f噪声特性的影响 | 第50-53页 |
| 3.3.2 基于 1/f噪声的SiC-SiO_2界面附近陷阱密度研究 | 第53-59页 |
| 3.4 小结 | 第59-61页 |
| 第四章 4H-SiC MOSFET界面态密度与器件低频 1/f噪声相关性研究 | 第61-79页 |
| 4.1 电流-电压（I-V）特性和低频噪声特性测试实验 | 第61-64页 |
| 4.1.1 实验样品 | 第61-62页 |
| 4.1.2 I-V特性测试系统与测试方案选择 | 第62-63页 |
| 4.1.3 低频 1/f噪声测试平台 | 第63-64页 |
| 4.2 I-V特性测试结果与VT提取结果分析 | 第64-69页 |
| 4.2.1 I-V特性测试结果分析 | 第64-67页 |
| 4.2.2 VT提取结果分析 | 第67-69页 |
| 4.3 低频噪声特性测试分析 | 第69-78页 |
| 4.3.1 低频 1/f噪声测试条件与测试结果分析 | 第69-75页 |
| 4.3.2 4H-SiC MOSFET低频 1/f噪声表征模型及模型参数提取 | 第75-78页 |
| 4.4 小结 | 第78-79页 |
| 第五章 总结与展望 | 第79-81页 |
| 5.1 主要研究工作总结 | 第79-80页 |
| 5.2 展望 | 第80-81页 |
| 参考文献 | 第81-85页 |
| 致谢 | 第85-87页 |
| 作者简介 | 第87-88页 |
