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4H-SiC MOSFETs SiC-SiO2界面附近陷阱俘获和1/f噪声相关性研究

摘要第5-6页
ABSTRACT第6-7页
符号对照表第12-14页
缩略语对照表第14-17页
第一章 绪论第17-23页
    1.1 研究背景和意义第17-19页
    1.2 国内外研究现状第19-20页
    1.3 论文结构第20-23页
第二章 SiC MOSFET中缺陷陷阱及其对器件性能的影响第23-35页
    2.1 SiC MOSFET氧化层陷阱及其对器件性能的影响第23-29页
        2.1.1 栅氧化层中的电荷第23-24页
        2.1.2 SiC MOSFET边界陷阱与近界面SiO_2中的缺陷结构第24-28页
        2.1.3 SiC MOSFET氧化层陷阱对器件性能的影响第28-29页
    2.2 SiC MOSFET界面态及其对器件性能的影响第29-34页
        2.2.1 SiC-SiO_2界面态的微观本质第29-31页
        2.2.2 SiC-SiO_2界面态的能量分布第31-32页
        2.2.3 SiC MOSFET界面态对器件性能的影响第32-34页
    2.3 小结第34-35页
第三章 SiC MOSFET界面特性的电学表征方法与噪声表征方法第35-61页
    3.1 SiC MOSFET界面特性的电学表征方法第35-44页
        3.1.1 SiC-SiO_2界面态的时间常数第35-36页
        3.1.2 基于高频电容-电压(C-V)法的界面特性表征方法第36-41页
        3.1.3 基于电荷泵浦(CP)法的界面态密度提取方法第41-43页
        3.1.4 基于转移特性(I-V)测量的电离辐射诱导陷阱数量提取方法第43-44页
    3.2 MOSFEF界面特性的噪声表征方法第44-49页
        3.2.1 噪声无损检测方法的特点第44-45页
        3.2.2 MOSFET中的典型噪声第45-47页
        3.2.3 SiMOSFET低频 1/f噪声与氧化层陷阱密度相关性第47-49页
    3.3 基于 1/f噪声的SiC MOSFET中SiC-SiO_2界面附近陷阱密度表征方法第49-59页
        3.3.1 4H-SiC MOSFET中SiC-Si O_2界面态对器件低频 1/f噪声特性的影响第50-53页
        3.3.2 基于 1/f噪声的SiC-SiO_2界面附近陷阱密度研究第53-59页
    3.4 小结第59-61页
第四章 4H-SiC MOSFET界面态密度与器件低频 1/f噪声相关性研究第61-79页
    4.1 电流-电压(I-V)特性和低频噪声特性测试实验第61-64页
        4.1.1 实验样品第61-62页
        4.1.2 I-V特性测试系统与测试方案选择第62-63页
        4.1.3 低频 1/f噪声测试平台第63-64页
    4.2 I-V特性测试结果与VT提取结果分析第64-69页
        4.2.1 I-V特性测试结果分析第64-67页
        4.2.2 VT提取结果分析第67-69页
    4.3 低频噪声特性测试分析第69-78页
        4.3.1 低频 1/f噪声测试条件与测试结果分析第69-75页
        4.3.2 4H-SiC MOSFET低频 1/f噪声表征模型及模型参数提取第75-78页
    4.4 小结第78-79页
第五章 总结与展望第79-81页
    5.1 主要研究工作总结第79-80页
    5.2 展望第80-81页
参考文献第81-85页
致谢第85-87页
作者简介第87-88页

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