| 摘要 | 第5-7页 |
| ABSTRACT | 第7-8页 |
| 符号对照表 | 第12-13页 |
| 缩略语对照表 | 第13-16页 |
| 第一章 绪论 | 第16-24页 |
| 1.1 GaN基半导体器件的优势及存在问题 | 第16-17页 |
| 1.1.1 GaN基半导体器件的优势 | 第16-17页 |
| 1.1.2 GaN基半导体器件存在的问题 | 第17页 |
| 1.2 GaN基半导体器件栅极漏电的研究现状 | 第17-21页 |
| 1.2.1 漏电机制 | 第17-19页 |
| 1.2.2 漏电方式 | 第19-21页 |
| 1.2.3 改善方法 | 第21页 |
| 1.3 本文研究内容与安排 | 第21-24页 |
| 第二章 GaN基HEMT器件的相关理论及制作工艺 | 第24-40页 |
| 2.1 理论极化 | 第24-26页 |
| 2.1.1 氮化物的晶体结构 | 第24页 |
| 2.1.2 自发极化及压电极化 | 第24-26页 |
| 2.2 2DEG相关知识 | 第26-31页 |
| 2.2.1 AlGaN/GaN异质结的生长及 2DEG的形成 | 第26-28页 |
| 2.2.2 2DEG的计算 | 第28-31页 |
| 2.3 AIGaN/GaN HEMT的工作机理 | 第31-32页 |
| 2.4 AlGaN/GaN HEMT器件工艺流程 | 第32-38页 |
| 2.4.1 样片清洗 | 第32页 |
| 2.4.2 欧姆接触 | 第32-33页 |
| 2.4.3 台面隔离 | 第33-35页 |
| 2.4.4 表面处理 | 第35页 |
| 2.4.5 表面钝化 | 第35-36页 |
| 2.4.6 肖特基接触 | 第36-37页 |
| 2.4.7 Si3N4保护钝化 | 第37页 |
| 2.4.8 金属互联 | 第37-38页 |
| 2.4.9 工艺流程图 | 第38页 |
| 2.5 本章小结 | 第38-40页 |
| 第三章 表面处理方式和AlGaN/GaN HEMT器件实验 | 第40-50页 |
| 3.1 表面处理方式 | 第40-42页 |
| 3.1.1 等离子体处理原理 | 第40-41页 |
| 3.1.2 湿法处理原理 | 第41-42页 |
| 3.2 实验设计 | 第42-43页 |
| 3.3 实验过程监控 | 第43-49页 |
| 3.3.1 TLM测试结果 | 第44-48页 |
| 3.3.2 ISO测试 | 第48-49页 |
| 3.4 本章小结 | 第49-50页 |
| 第四章 不同表面处理对AlGaN/GaN HEMT器件电学特性的影响 | 第50-66页 |
| 4.1 表面处理后对器件直流特性的影响 | 第50-54页 |
| 4.2 不同表面处理对器件栅漏电影响 | 第54-56页 |
| 4.2.1 不同表面处理工艺对栅源漏电的影响 | 第54页 |
| 4.2.2 CV环漏电 | 第54-56页 |
| 4.3 器件漏电成分 | 第56-59页 |
| 4.3.1 表面漏电测试方法及结果 | 第56-58页 |
| 4.3.2 Mesa edge漏电 | 第58-59页 |
| 4.4 表面处理肖特基栅HEMT器件栅下界面态研究 | 第59-63页 |
| 4.4.1 HEMT器件的电导法表征模型 | 第59-60页 |
| 4.4.2 表面处理对AlGaN/GaN HEMT器件Metal/AlGaN界面态的影响 | 第60-63页 |
| 4.5 本章小结 | 第63-66页 |
| 第五章 总结与展望 | 第66-68页 |
| 5.1 论文的研究总结 | 第66-67页 |
| 5.2 研究与展望 | 第67-68页 |
| 参考文献 | 第68-72页 |
| 致谢 | 第72-74页 |
| 作者简介 | 第74-75页 |
