| 摘要 | 第5-6页 |
| ABSTRACT | 第6-7页 |
| 符号对照表 | 第12-14页 |
| 缩略语对照表 | 第14-17页 |
| 第一章 绪论 | 第17-25页 |
| 1.1 GaN材料及GaN基器件的研究现状 | 第17-19页 |
| 1.1.1 GaN材料简介 | 第17-18页 |
| 1.1.2 GaN基器件的发展现状 | 第18-19页 |
| 1.2 GaN基HEMT器件的变温特性研究现状 | 第19-22页 |
| 1.3 本文的主要工作及安排 | 第22-25页 |
| 第二章 AlGaN/GaN HEMT器件的工作原理及工艺 | 第25-33页 |
| 2.1 AlGaN/GaN器件的基本工作原理 | 第25-28页 |
| 2.1.1 二维电子气形成的基本理论 | 第25-26页 |
| 2.1.2 HEMT的基本工作原理 | 第26-28页 |
| 2.2 AlGaN/GaN HEMT器件的制备及工艺 | 第28-32页 |
| 2.2.2 样片清洗 | 第29页 |
| 2.2.3 欧姆接触 | 第29-30页 |
| 2.2.4 台面隔离 | 第30-31页 |
| 2.2.5 肖特基接触 | 第31页 |
| 2.2.6 表面钝化 | 第31-32页 |
| 2.3 本章小结 | 第32-33页 |
| 第三章 GaN基HEMT器件的变温特性仿真 | 第33-51页 |
| 3.1 Silvaco TCAD简介 | 第33-35页 |
| 3.2 AlGaN/GaN HEMT的温度特性仿真 | 第35-41页 |
| 3.2.1 器件的结构和基本特性仿真 | 第35-38页 |
| 3.2.2 AlGaN/GaN HEMT的变温电场分布和热分布仿真 | 第38-41页 |
| 3.3 AlGaN/GaN HEMT的变温直流特性仿真 | 第41-43页 |
| 3.4 AlGaN/GaN异质结构 2DEG的变温特性仿真 | 第43-48页 |
| 3.4.1 温度对 2DEG浓度的影响 | 第43-46页 |
| 3.4.2 室温下Al组分和势垒层厚度对 2DEG浓度的影响 | 第46-48页 |
| 3.5 本章小结 | 第48-51页 |
| 第四章 AlGaN/GaN器件的变温测试 | 第51-75页 |
| 4.1 AlGaN/GaN器件的低温直流特性测试 | 第51-56页 |
| 4.1.1 低温下AlGaN/GaN器件的输出特性测试 | 第51-54页 |
| 4.1.2 低温下AlGaN/GaN器件的转移特性测试 | 第54-55页 |
| 4.1.3 低温下AlGaN/GaN器件的肖特基特性的测试 | 第55-56页 |
| 4.2 AlGaN/GaN器件的变温C-V特性分析 | 第56-61页 |
| 4.3 电子迁移率随温度的变化 | 第61-64页 |
| 4.4 温度对阈值电压的影响 | 第64-66页 |
| 4.5 DLTS测试与陷阱分析 | 第66-73页 |
| 4.5.2 DLTS的基本原理介绍 | 第67-71页 |
| 4.5.3 测试结果及分析 | 第71-73页 |
| 4.6 本章小结 | 第73-75页 |
| 第五章 AlGaN/GaN器件的变温漏电机制研究 | 第75-89页 |
| 5.1 肖特基接触的理论介绍 | 第75-76页 |
| 5.2 AlGaN/GaN器件的电流输运特性 | 第76-79页 |
| 5.2.1 主要的几种漏电机制 | 第76-77页 |
| 5.2.2 热电子发射理论 | 第77-79页 |
| 5.2.3 隧穿理论 | 第79页 |
| 5.2.4 FP发射 | 第79页 |
| 5.3 正向肖特基漏电机制分析 | 第79-84页 |
| 5.3.1 正向肖特基特性测试 | 第79-81页 |
| 5.3.2 势垒高度和理想因子的提取 | 第81-83页 |
| 5.3.3 低温下肖特基正向电流的输运机制分析 | 第83-84页 |
| 5.4 反向肖特基漏电机制分析 | 第84-88页 |
| 5.5 本章小结 | 第88-89页 |
| 第六章 总结与展望 | 第89-93页 |
| 6.1 本文的研究工作总结 | 第89-90页 |
| 6.2 进一步工作及未来展望 | 第90-93页 |
| 参考文献 | 第93-101页 |
| 致谢 | 第101-103页 |
| 作者简介 | 第103-104页 |
