| 摘要 | 第5-6页 |
| ABSTRACT | 第6页 |
| 符号对照表 | 第9-10页 |
| 缩略语对照表 | 第10-13页 |
| 第一章 绪论 | 第13-21页 |
| 1.1 研究背景 | 第13-14页 |
| 1.2 辐照效应分析 | 第14-18页 |
| 1.2.1 总剂量效应 | 第14-16页 |
| 1.2.2 单粒子效应 | 第16-17页 |
| 1.2.3 瞬时剂量率效应 | 第17-18页 |
| 1.3 FinFET器件及总剂量效应研究现状 | 第18-20页 |
| 1.3.1 FinFET器件现状 | 第18-19页 |
| 1.3.2 FinFET总剂量效应研究现状 | 第19-20页 |
| 1.4 论文主要工作和组织安排 | 第20-21页 |
| 第二章 MOS器件及FinFET器件的总剂量效应分析 | 第21-41页 |
| 2.1 MOS器件总剂量效应分析 | 第21-28页 |
| 2.1.1 总剂量效应引起阈值电压的漂移 | 第21-24页 |
| 2.1.2 总剂量效应引起泄漏电流的变化 | 第24-28页 |
| 2.1.3 不同偏置下总剂量效应对MOS器件的影响 | 第28页 |
| 2.2 FinFET建模分析 | 第28-33页 |
| 2.2.1 SentaurusTCAD工具简介 | 第29-30页 |
| 2.2.2 FinFET器件模型建立 | 第30-33页 |
| 2.3 FinFET器件总剂量效应仿真分析 | 第33-39页 |
| 2.3.1 FinFET抗总剂量效应能力分析 | 第34-35页 |
| 2.3.2 平面SOI单栅MOSFET和FinFET总剂量效应的对比 | 第35-38页 |
| 2.3.3 Fin宽对FinFET器件抗总剂量能力的影响 | 第38-39页 |
| 2.4 本章小结 | 第39-41页 |
| 第三章 SRAM辐射敏感性分析及加固方法探讨 | 第41-55页 |
| 3.1 SRAM存储单元 | 第43-48页 |
| 3.1.1 存储单元工作原理 | 第43-45页 |
| 3.1.2 存储单元总剂量效应仿真分析 | 第45-48页 |
| 3.2 灵敏放大器 | 第48-51页 |
| 3.2.1 灵敏放大器工作原理 | 第48-50页 |
| 3.2.2 灵敏放大器失效原理 | 第50-51页 |
| 3.2.3 灵敏放大器加固方法 | 第51页 |
| 3.3 外围电路的总剂量效应 | 第51-53页 |
| 3.3.1 外围数字电路总剂量效应分析 | 第51-52页 |
| 3.3.2 外围电路的辐射加固 | 第52-53页 |
| 3.4 本章小结 | 第53-55页 |
| 第四章 FinFET SRAM总剂量效应试验方案设计 | 第55-65页 |
| 4.1 国内外总剂量试验标准对比 | 第55-57页 |
| 4.2 总剂量试验方法 | 第57-60页 |
| 4.2.1 辐射源选择 | 第57页 |
| 4.2.2 剂量率及测试点选择 | 第57-59页 |
| 4.2.3 偏置方式 | 第59-60页 |
| 4.2.4 退火的选择 | 第60页 |
| 4.3 FinFET SRAM的总剂量试验方案 | 第60-63页 |
| 4.3.1 FinFET SRAM总剂量试验流程 | 第61-62页 |
| 4.3.2 FinFET SRAM总剂量试验系统 | 第62-63页 |
| 4.4 FinFET SRAM芯片选型 | 第63-64页 |
| 4.5 本章小结 | 第64-65页 |
| 第五章 总结与展望 | 第65-67页 |
| 5.1 工作总结 | 第65页 |
| 5.2 工作展望 | 第65-67页 |
| 参考文献 | 第67-71页 |
| 致谢 | 第71-73页 |
| 作者简介 | 第73-74页 |
