| 摘要 | 第5-6页 |
| ABSTRACT | 第6-7页 |
| 符号对照表 | 第11-12页 |
| 缩略语对照表 | 第12-15页 |
| 第一章 绪论 | 第15-21页 |
| 1.1 GaN基HEMT器件概述 | 第15-16页 |
| 1.2 GaN基场板结构HEMT国内外研究现状 | 第16-18页 |
| 1.3 本文主要任务及安排 | 第18-21页 |
| 第二章 GaN基FP-HEMT的基本原理 | 第21-33页 |
| 2.1 GaN基HEMT的基本原理 | 第21-23页 |
| 2.1.1 GaN基HEMT器件的基本结构 | 第21页 |
| 2.1.2 二维电子气的形成机理 | 第21-23页 |
| 2.2 场板对GaN基HEMT器件击穿特性的影响 | 第23-26页 |
| 2.2.1 GaN基HEMT器件的击穿机理 | 第23-24页 |
| 2.2.2 场板结构改善器件击穿电压的机理 | 第24-26页 |
| 2.3 现有场板结构及其特点 | 第26-30页 |
| 2.4 本章小结 | 第30-33页 |
| 第三章 新型高击穿GaN基FP-HEMT器件研究 | 第33-53页 |
| 3.1 T形栅场板HEMT器件研究 | 第33-37页 |
| 3.1.1 T形栅场板HEMT器件结构 | 第33-34页 |
| 3.1.2 T形栅场板对器件击穿特性的影响 | 第34-35页 |
| 3.1.3 T形栅场板HEMT器件制作的流程 | 第35-37页 |
| 3.2 肖特基漏极多层漏场板HEMT器件研究 | 第37-44页 |
| 3.2.1 器件结构与建模 | 第37-38页 |
| 3.2.2 多层漏场板对器件沟道电场和反向击穿电压的影响 | 第38-41页 |
| 3.2.3 多层漏场板提高器件反向击穿电压的机理研究 | 第41-42页 |
| 3.2.4 肖特基漏极多层漏场板HEMT器件的优化规律研究 | 第42-43页 |
| 3.2.5 多层场板与传统场板场板的效率研究 | 第43-44页 |
| 3.3 肖特基漏复合场板HEMT器件研究 | 第44-52页 |
| 3.3.1 器件结构与建模 | 第44-46页 |
| 3.3.2 肖特基漏复合场板对HEMT器件反向击穿特性的影响 | 第46-47页 |
| 3.3.3 肖特基漏复合场板改善器件反向击穿特性的机理分析 | 第47-48页 |
| 3.3.4 肖特基漏复合场板HEMT器件的优化规律研究 | 第48-50页 |
| 3.3.5 肖特基漏复合场板与传统漏场板的效率研究 | 第50-52页 |
| 3.4 本章小结 | 第52-53页 |
| 第四章 GaN基FP-HEMT器件解析模型研究 | 第53-81页 |
| 4.1 传统FP-HEMT器件的二维解析模型研究 | 第53-64页 |
| 4.1.2 器件建模基本问题 | 第53-55页 |
| 4.1.3 器件电势函数的二维泊松方程和边界条件 | 第55-58页 |
| 4.1.4 器件沟道电势和电场的二维解析模型 | 第58-60页 |
| 4.1.5 模型结果与讨论 | 第60-64页 |
| 4.2 浮空栅场板HEMT器件的二维解析模型 | 第64-79页 |
| 4.2.1 浮空栅场板HEMT器件建模的基本问题 | 第64-65页 |
| 4.2.2 器件电势函数的二维泊松方程及边界条件 | 第65-68页 |
| 4.2.3 器件沟道电势和电场的二维解析模型 | 第68-70页 |
| 4.2.4 单浮空栅场板HEMT器件模型结果与讨论 | 第70-74页 |
| 4.2.5 多浮空栅场板HEMT器件模型结果与讨论 | 第74-79页 |
| 4.3 本章小结 | 第79-81页 |
| 第五章 总结与展望 | 第81-83页 |
| 5.1 总结 | 第81页 |
| 5.2 展望 | 第81-83页 |
| 参考文献 | 第83-87页 |
| 致谢 | 第87-89页 |
| 作者简介 | 第89-90页 |
