| 摘要 | 第5-6页 |
| abstract | 第6-7页 |
| 第一章 绪论 | 第10-15页 |
| 1.1 研究背景 | 第10-11页 |
| 1.2 碳化硅材料和电学特性 | 第11-12页 |
| 1.3 SiC MOSFETs发展状况 | 第12-14页 |
| 1.4 本文主要工作 | 第14-15页 |
| 第二章 大电流SiC MOSFETs器件结构设计 | 第15-24页 |
| 2.1 元胞结构设计 | 第15-20页 |
| 2.1.1 JFET区宽度 | 第16-18页 |
| 2.1.2 沟道长度 | 第18-20页 |
| 2.2 终端结构设计 | 第20-23页 |
| 2.3 本章总结 | 第23-24页 |
| 第三章 大电流 4H-SiC MOSFETs关键工艺开发 | 第24-50页 |
| 3.1 自对准工艺 | 第24-27页 |
| 3.2 4H-SiC/SiO_2界面湿氧氧化调控 | 第27-37页 |
| 3.2.1 界面态来源与界面态改善方法 | 第28-30页 |
| 3.2.2 电导法 | 第30-33页 |
| 3.2.3 界面湿氧氧化实验流程及结果分析 | 第33-37页 |
| 3.3 4H-SiC欧姆接触工艺 | 第37-44页 |
| 3.3.1 4H-SiC欧姆接触理论 | 第37-39页 |
| 3.3.2 4H-SiC欧姆接触表征 | 第39-40页 |
| 3.3.3 4H-SiC MOSFETs源漏金属欧姆接触实验 | 第40-44页 |
| 3.4 栅ESD结构设计与实验 | 第44-48页 |
| 3.4.1 栅ESD结构设计 | 第45-46页 |
| 3.4.2 栅ESD结构流片实验 | 第46-48页 |
| 3.5 本章总结 | 第48-50页 |
| 第四章 4H-SiC MOSFETs流片实验和测试分析 | 第50-63页 |
| 4.1 1200V 4H-SiC MOSFETs晶体管研制 | 第50-52页 |
| 4.2 4H-SiC MOSFETs测试分析 | 第52-61页 |
| 4.2.1 静态电学特性测试 | 第52-55页 |
| 4.2.2 阈值电压异常分析 | 第55-58页 |
| 4.2.3 4H-SiC MOSFETs迁移率提取 | 第58-61页 |
| 4.3 本章总结 | 第61-63页 |
| 第五章 总结 | 第63-65页 |
| 致谢 | 第65-66页 |
| 参考文献 | 第66-70页 |
| 攻读硕士学位期间取得的研究成果 | 第70-71页 |
