| 摘要 | 第5-7页 |
| ABSTRACT | 第7-8页 |
| 符号对照表 | 第14-15页 |
| 缩略语对照表 | 第15-19页 |
| 第一章 引言 | 第19-27页 |
| 1.1 电力电子器件研究进展 | 第19-20页 |
| 1.2 GaN基电力电子器件研究进展 | 第20-24页 |
| 1.2.1 GaN的特性介绍 | 第20-21页 |
| 1.2.2 GaN基功率器件研究进展 | 第21-24页 |
| 1.3 主要研究内容 | 第24-27页 |
| 第二章 GaN异质结生长和器件制备方法 | 第27-41页 |
| 2.1 GaN材料生长 | 第27-28页 |
| 2.2 GaN基电力电子器件的制备 | 第28-40页 |
| 2.2.1 GaN基电力电子器件的版图设计 | 第28-33页 |
| 2.2.2 GaN基电力电子器件的制备 | 第33-40页 |
| 2.3 本章小结 | 第40-41页 |
| 第三章 高性能GaN双异质结高电子迁移率晶体管研制 | 第41-61页 |
| 3.1 GaN双异质结特性介绍以及研究进展 | 第41-42页 |
| 3.2 高质量Al_(0.30)Ga_(0.70)N/GaN/Al_(0.07)Ga_(0.93)N材料外延 | 第42-46页 |
| 3.3 高性能Al_(0.30)Ga_(0.70)N/GaN/Al_(0.07)Ga_(0.93)N双异质结器件制备 | 第46-51页 |
| 3.4 双异质结器件的势垒层和沟道层厚度优化 | 第51-58页 |
| 3.4.1 势垒层和沟道层厚度对Al_(0.30)Ga_(0.70)N/GaN/Al_(0.07)Ga_(0.93)N材料特性的影响 | 第51-54页 |
| 3.4.2 势垒层和沟道层厚度对Al_(0.30)Ga_(0.70)N/GaN/Al_(0.07)Ga_(0.93)N器件特性的影响 | 第54-58页 |
| 3.5 本章小结 | 第58-61页 |
| 第四章 高压AlGaN沟道高电子迁移率晶体管研制 | 第61-75页 |
| 4.1 AlGaN沟道材料及器件简介 | 第61-62页 |
| 4.2 具有AlGaN/GaN复合缓冲层的AlGaN沟道HEMTs材料生长及器件制备 | 第62-66页 |
| 4.2.1 具有AlGaN/GaN复合缓冲层的Al_(0.40)Ga_(0.60)N/Al_(0.18)Ga_(0.82)N材料生长 | 第62-65页 |
| 4.2.2 具有AlGaN/GaN复合缓冲层的Al_(0.40)Ga_(0.60)N/Al_(0.18)Ga_(0.82)N HEMTs制备及表征 | 第65-66页 |
| 4.3 AlGaN沟道MIS-HEMTs研制 | 第66-73页 |
| 4.3.1 AlGaN沟道MIS-HEMTs的材料生长 | 第66-68页 |
| 4.3.2 AlGaN沟道MIS-HEMTs的器件制备 | 第68-69页 |
| 4.3.3 AlGaN沟道MIS-HEMTs的电学特性表征 | 第69-73页 |
| 4.4 本章小结 | 第73-75页 |
| 第五章 总结和展望 | 第75-77页 |
| 5.1 总结 | 第75-76页 |
| 5.2 展望 | 第76-77页 |
| 参考文献 | 第77-83页 |
| 致谢 | 第83-85页 |
| 作者简介 | 第85-87页 |
