| 摘要 | 第5-8页 |
| abstract | 第8-11页 |
| 第一章 绪论 | 第14-29页 |
| 1.1 研究工作的背景与意义 | 第14页 |
| 1.2 槽型LDMOS器件新结构发展概述 | 第14-21页 |
| 1.3 逆阻型IGBT器件发展概述 | 第21-26页 |
| 1.4 本文的主要贡献与创新 | 第26-29页 |
| 第二章 槽型LDMOS耐压解析模型与新结构 | 第29-53页 |
| 2.1 槽型LDMOS的体电场与击穿电压 | 第29-32页 |
| 2.2 UK-P LDMOS二维电势与电场解析模型 | 第32-34页 |
| 2.3 VK-P LDMOS新结构电势与电场解析模型 | 第34-44页 |
| 2.4 槽型LDMOS统一耐压解析模型 | 第44-52页 |
| 2.4.1 耐压解析式 | 第44-50页 |
| 2.4.2 RESURF条件 | 第50-52页 |
| 2.5 本章小结 | 第52-53页 |
| 第三章 超低功耗SOI槽型nLDMOS特性研究 | 第53-79页 |
| 3.1 VK-P LDMOS器件特性研究 | 第53-66页 |
| 3.1.1 静态特性 | 第53-59页 |
| 3.1.2 动态特性及安全工作区 | 第59-61页 |
| 3.1.3 温度特性 | 第61-64页 |
| 3.1.4 热载流子特性 | 第64-66页 |
| 3.2 VK-P LDMOS终端设计 | 第66-69页 |
| 3.3 VK-P LDMOS工艺方案 | 第69-71页 |
| 3.4 SOI槽栅槽型LDMOS器件的实验验证 | 第71-77页 |
| 3.4.1 工艺流程设计 | 第72-73页 |
| 3.4.2 版图设计 | 第73-74页 |
| 3.4.3 测试结果 | 第74-77页 |
| 3.5 本章小结 | 第77-79页 |
| 第四章 电导增强pLDMOS器件新结构 | 第79-107页 |
| 4.1 SOI pLDMOS器件RESURF效应的特殊性 | 第79-82页 |
| 4.2 ERT SOI pLDMOS新结构机理与特性研究 | 第82-98页 |
| 4.2.1 ERT SOI pLDMOS器件结构与机理 | 第82-87页 |
| 4.2.2 ERT SOI pLDMOS的阻断特性与导通特性 | 第87-95页 |
| 4.2.3 ERT SOI pLDMOS抑制背栅偏置效应 | 第95-98页 |
| 4.3 ERT SOI pLDMOS工艺方案设计 | 第98-99页 |
| 4.4 SPBL pLDMOS器件新结构 | 第99-101页 |
| 4.5 SPBL pLDMOS器件实验研制 | 第101-105页 |
| 4.5.1 衬底材料 | 第101页 |
| 4.5.2 工艺步骤设计 | 第101-103页 |
| 4.5.3 版图与测试结果 | 第103-105页 |
| 4.6 本章小结 | 第105-107页 |
| 第五章 超结逆阻型IGBT | 第107-140页 |
| 5.1 SJ概念在RB-IGBT中的引入 | 第108-109页 |
| 5.2 SJ RB-IGBT新结构与机理 | 第109-111页 |
| 5.3 SJ RB-IGBT特性研究 | 第111-118页 |
| 5.3.1 双向耐压特性 | 第111-114页 |
| 5.3.2 静态与动态导通特性 | 第114-118页 |
| 5.4 基于SJ RB-IGBT的矩阵变换器特性研究 | 第118-138页 |
| 5.4.1 矩阵变换器工作原理 | 第119-121页 |
| 5.4.2 基于SJ RB-IGBT的矩阵变换器换流特性 | 第121-128页 |
| 5.4.3 基于SJ RB-IGBT的矩阵变换器功耗分析 | 第128-138页 |
| 5.5 本章小结 | 第138-140页 |
| 第六章 全文总结与展望 | 第140-143页 |
| 6.1 全文总结 | 第140-142页 |
| 6.2 后续工作展望 | 第142-143页 |
| 致谢 | 第143-144页 |
| 参考文献 | 第144-156页 |
| 攻读博士学位期间取得的成果 | 第156-159页 |
