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场效应器件
高迁移率二硫化钼场效应晶体管的研究
有机场效应晶体管与交叉点存储器研究
α-NbZnSnO薄膜的制备与表征及其在薄膜场效应晶体管中的应用
CVD法制备硫化钨、硫化钼钨二维材料光学性质及其场效应晶体管器件特性研究
面向生物分子检测的基于MoS2薄膜的场效应管的制备研究
纳米CMOS器件多阱工艺单粒子效应机理研究
硫化钼二维材料的制备、光学性质及其器件性能研究
非均匀界面电荷对pMOS及TFT阈值电压的影响研究
600V增强型GaN HEMT器件研究及设计
SiC基VDMOS器件UIS应力退化机理及寿命模型研究
二维黑磷材料红外太赫兹光电性质研究
抗辐射VDMOS器件的研究与设计
小分子近红外光敏有机场效应管研究
功率STI-LDMOS器件热载流子退化机理与寿命模型研究
基于PTCDA的绿光光敏有机场效应晶体管研制
SiC功率MOSFET损耗特性的研究
碳化硅功率器件非线性建模及应用研究
负电容PZT铁电场效应晶体管的物理模型与性能优化
晶粒取向和晶界对FeFET电学性能影响的相场模拟
碳化硅MOSFET的特性及应用研究
新型π-共轭聚合物的合成及场效应晶体管性能研究
石墨烯场效应晶体管微波建模技术研究
SOI CMOS像素探测器结构及辐射加固研究
功率MOSFET单粒子效应及辐射加固研究
高性能有机及有机复合光电晶体管的溶液法制备
绝缘层及极性杂质对TIPS-pentacene单晶电子迁移性能的影响
Y2O3/Si MOS电容制备及特性研究
基于SiC功率器件的光伏系统DC-DC设计
高K/GaAs MOS界面特性仿真研究
新型低压LDMOS结构设计与仿真
基于应力调控的硅基氮化镓材料和器件研究
凹槽栅AlGaN/GaN MOS-HEMT器件特性研究
NMOS器件热载流子效应研究
薄势垒F注入AlGaN/GaN HEMT器件特性研究
亚微米级MOSFET器件模型分析及BSIM模型参数提取
窄带隙小分子和连二噻吩酰亚胺聚合物合成及场效应晶体管性能
非共振等离子体波THz器件响应研究
硅通孔热应力对于器件性能的影响的研究
基于场板和LDD技术的AlGaN/GaN HEMT器件特性研究
65nm工艺下MOSFET的总剂量辐照效应及加固研究
基于电场调制的新型横向超结功率器件
基于电荷平衡的超结LDMOS仿真和工艺设计
纳米MOS器件TID与HCI效应关联分析
基于FinFET SRAM单粒子效应仿真研究
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基于CVD石墨烯的场效应管生物传感器及其检测系统研究
新型沟槽LDMOS和N型覆盖层超结LDMOS设计
透明栅AlGaN/GaN HEMT器件退火及光响应研究
增强型双异质结器件特性研究
高介电常数叠栅介质的淀积工艺与特性研究
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