| 摘要 | 第4-5页 |
| Abstract | 第5-6页 |
| 第1章 绪论 | 第9-14页 |
| 1.1 课题研究背景 | 第9-10页 |
| 1.2 无结场效应晶体管的研究现状 | 第10-13页 |
| 1.2.1 无结场效应晶体管的国内外发展状况 | 第10-12页 |
| 1.2.2 团队研究成果 | 第12页 |
| 1.2.3 无结场效应晶体管面临的挑战 | 第12-13页 |
| 1.3 课题研究方案及目的 | 第13-14页 |
| 第2章 无结场效应晶体管基本原理及特性分析 | 第14-20页 |
| 2.1 无结场效应晶体管基本原理分析 | 第14-17页 |
| 2.1.1 无结场效应晶体管的导通原理 | 第14-16页 |
| 2.1.2 短沟道MOSFET的效应 | 第16-17页 |
| 2.1.3 无结场效应晶体管的优势 | 第17页 |
| 2.2 无结场效应晶体管的建模分析 | 第17-19页 |
| 2.2.1 电荷模型 | 第17-18页 |
| 2.2.2 漏电流模型 | 第18页 |
| 2.2.3 带带隧穿效应 | 第18-19页 |
| 2.3 本章小结 | 第19-20页 |
| 第3章 新型无结场效应晶体管的模拟方法 | 第20-23页 |
| 3.1 仿真工具介绍 | 第20-21页 |
| 3.2 仿真模型选择 | 第21-22页 |
| 3.3 本章小结 | 第22-23页 |
| 第4章 新型无结场效应晶体管的仿真优化 | 第23-61页 |
| 4.1 I形栅无结场效应晶体管的仿真研究 | 第23-31页 |
| 4.1.1 常规无结场效应晶体管向I形栅无结场效应晶体管的过渡仿真 | 第24-26页 |
| 4.1.2 I形栅无结场效应晶体管栅极几何形状优化仿真 | 第26-31页 |
| 4.2 具有辅助栅的平面U沟道无结场效应晶体管的仿真研究 | 第31-39页 |
| 4.2.1 辅助栅厚度变化对器件性能造成的影响 | 第32-33页 |
| 4.2.2 主控栅与辅助栅之间氧化层厚度变化对器件性能造成的影响 | 第33-34页 |
| 4.2.3 源漏延长区高度变化对器件性能造成的影响 | 第34-36页 |
| 4.2.4 辅助栅电压变化对器件性能造成的影响 | 第36-38页 |
| 4.2.5 具有辅助栅的平面U沟道无结场效应晶体管优化仿真总结 | 第38-39页 |
| 4.3 具有辅助栅的低泄漏马鞍栅无结场效应晶体管的仿真研究 | 第39-47页 |
| 4.3.1 辅助栅厚度变化对器件性能造成的影响 | 第40-41页 |
| 4.3.2 两栅之间氧化层厚度变化对器件性能造成的影响 | 第41-42页 |
| 4.3.3 源漏延长区高度变化对器件性能造成的影响 | 第42-44页 |
| 4.3.4 辅助栅电压变化对器件性能造成的影响 | 第44-45页 |
| 4.3.5 具有辅助栅的U沟道马鞍栅无结场效应晶体管优化仿真总结 | 第45-47页 |
| 4.4 新型H形栅无结场效应晶体管的仿真研究 | 第47-60页 |
| 4.4.1 saddle向H形栅的过渡仿真 | 第49-52页 |
| 4.4.2 沟道掺杂浓度变化对器件性能造成的影响 | 第52-53页 |
| 4.4.3 栅极厚度变化对器件性能造成的影响 | 第53-54页 |
| 4.4.4 源漏延长区高度变化对器件性能造成的影响 | 第54-56页 |
| 4.4.5 氧化物材料变化对器件性能造成的影响 | 第56-60页 |
| 4.5 本章小结 | 第60-61页 |
| 第5章 结论 | 第61-62页 |
| 参考文献 | 第62-65页 |
| 在学研究成果 | 第65-66页 |
| 致谢 | 第66页 |
