| 摘要 | 第3-4页 |
| Abstract | 第4-5页 |
| 第一章 绪论 | 第8-14页 |
| 1.1 研究背景与意义 | 第8-11页 |
| 1.2 GaN基异质结欧姆接触的研究现状 | 第11-12页 |
| 1.3 论文的主要研究内容及架构 | 第12-14页 |
| 第二章 欧姆接触理论及测试方法 | 第14-26页 |
| 2.1 欧姆接触的能带理论 | 第14-17页 |
| 2.1.1 金-半接触的能带结构 | 第14-16页 |
| 2.1.2 欧姆接触的能带结构 | 第16-17页 |
| 2.2 欧姆接触的电流输运理论 | 第17-20页 |
| 2.2.1 热电子发射电流 | 第18页 |
| 2.2.2 场发射电流 | 第18-19页 |
| 2.2.3 热场发射电流 | 第19-20页 |
| 2.3 欧姆接触的比接触电阻率 | 第20-22页 |
| 2.4 比接触电阻率的测量方法 | 第22-24页 |
| 2.4.1 常用的比接触电阻率测量方法 | 第22-23页 |
| 2.4.2 矩形TLM测量方法 | 第23-24页 |
| 2.5 本章小结 | 第24-26页 |
| 第三章 器件的设计及制备 | 第26-32页 |
| 3.1 晶格匹配InAlN/GaN异质结的设计与制备 | 第26-29页 |
| 3.1.1 晶格匹配InAlN/GaN异质结的能带结构 | 第26-27页 |
| 3.1.2 晶格匹配InAlN/GaN异质结的制备与优化 | 第27-29页 |
| 3.2 欧姆接触的设计与制备 | 第29-31页 |
| 3.2.1 多层金属结构的设计 | 第29-30页 |
| 3.2.2 TLM测试结构的制备 | 第30-31页 |
| 3.3 本章小结 | 第31-32页 |
| 第四章 晶格匹配InAlN/GaN异质结欧姆接触的低温电学特性 | 第32-42页 |
| 4.1 低温电学测试系统和测试结果 | 第32-34页 |
| 4.2 比接触电阻率的低温电学特性分析 | 第34-37页 |
| 4.2.1 Spike电学接触机制 | 第34-35页 |
| 4.2.2 比接触电阻率随温度变化规律的分析 | 第35-37页 |
| 4.3 方块电阻的低温电学特性分析 | 第37-40页 |
| 4.3.1 GaN异质结二维电子气的低场迁移率模型 | 第37-39页 |
| 4.3.2 方块电阻随温度变化规律的分析 | 第39-40页 |
| 4.4 本章小结 | 第40-42页 |
| 第五章 晶格匹配InAlN/GaN异质结欧姆接触的高温电学特性 | 第42-50页 |
| 5.1 高温电学测试系统和测试结果 | 第42-44页 |
| 5.2 比接触电阻率的高温电学特性分析 | 第44-47页 |
| 5.2.1 GaN基异质结欧姆接触的隧穿机制 | 第44页 |
| 5.2.2 比接触电阻率随温度变化规律的分析 | 第44-47页 |
| 5.3 方块电阻的高温电学特性分析 | 第47-48页 |
| 5.4 本章小结 | 第48-50页 |
| 第六章 总结与展望 | 第50-52页 |
| 6.1 总结 | 第50-51页 |
| 6.2 展望 | 第51-52页 |
| 致谢 | 第52-53页 |
| 参考文献 | 第53-63页 |
| 附录:作者在攻读硕士学位期间发表的论文 | 第63页 |
