| 摘要 | 第5-6页 |
| ABSTRACT | 第6页 |
| 符号对照表 | 第10-11页 |
| 缩略语对照表 | 第11-15页 |
| 第一章 绪论 | 第15-23页 |
| 1.1 研究背景 | 第15-16页 |
| 1.2 GaN材料的发展与特点 | 第16-17页 |
| 1.3 GaN HEMT器件及电路研究进展与趋势 | 第17-21页 |
| 1.3.1 国外GaN HEMT及电路发展历史及现状 | 第17-20页 |
| 1.3.2 国内GaN HEMT及MMIC发展现状 | 第20-21页 |
| 1.4 本文研究意义与主要研究内容 | 第21-23页 |
| 1.4.1 研究意义 | 第21页 |
| 1.4.2 主要研究内容 | 第21-23页 |
| 第二章 GaN HEMT基础与仿真 | 第23-37页 |
| 2.1 GaN HEMT器件的工作原理 | 第23-26页 |
| 2.1.1 自发极化与压电极化效应 | 第23-24页 |
| 2.1.2 AlGaN/GaN HEMT器件的基本结构 | 第24-25页 |
| 2.1.3 AlGaN/GaN HEMT的工作原理 | 第25-26页 |
| 2.2 AlGaN/GaN HEMT器件的频率分析 | 第26-29页 |
| 2.3 Ka波段AlGaN/GaN HEMT面临的问题 | 第29-31页 |
| 2.3.1 寄生效应 | 第29-30页 |
| 2.3.2 短沟道效应 | 第30-31页 |
| 2.3.3 高电场强度 | 第31页 |
| 2.4 AlGaN/GaN HEMT器件栅下电场仿真 | 第31-34页 |
| 2.4.1 器件仿真工具 | 第31-32页 |
| 2.4.2 AlGaN/GaN HEMT模拟器件结构 | 第32-33页 |
| 2.4.3 场强与击穿特性分析 | 第33-34页 |
| 2.5 小结 | 第34-37页 |
| 第三章 Ka波段AlGaN/GaN HEMT工艺基础 | 第37-47页 |
| 3.1 表面钝化 | 第37-39页 |
| 3.1.1 SiN钝化 | 第37-38页 |
| 3.1.2 Al2_O_3与AlGaN/GaN异质结表面接触 | 第38-39页 |
| 3.2 优化低损伤凹槽栅刻蚀技术 | 第39-42页 |
| 3.2.1 凹栅槽刻蚀工艺 | 第39-40页 |
| 3.2.2 刻蚀条件 | 第40页 |
| 3.2.3 结果分析 | 第40-42页 |
| 3.3 栅工艺 | 第42-43页 |
| 3.4 工艺流程 | 第43-45页 |
| 3.5 小结 | 第45-47页 |
| 第四章 Ka波段器件测试研究 | 第47-59页 |
| 4.1 Al_2O_3钝化Ka波AlGaN/GaN HEMT器件测试 | 第47-52页 |
| 4.1.1 器件结构 | 第47-48页 |
| 4.1.2 器件测试与分析 | 第48-52页 |
| 4.2 AlN背势垒AlGaN/GaN HEMT研制与测试 | 第52-58页 |
| 4.2.1 器件结构 | 第52-53页 |
| 4.2.2 器件测试结果分析 | 第53-58页 |
| 4.3 本章小结 | 第58-59页 |
| 第五章 Ka波段GaN微波单片集成电路研究 | 第59-75页 |
| 5.1 电路设计流程与设计方法 | 第59-61页 |
| 5.1.1 电路设计流程 | 第59页 |
| 5.1.2 电路设计方法 | 第59-61页 |
| 5.2 器件基础 | 第61-65页 |
| 5.2.2 有源器件 | 第62页 |
| 5.2.3 无源器件 | 第62-64页 |
| 5.2.4 工艺基础 | 第64-65页 |
| 5.3 电路原理图设计 | 第65-71页 |
| 5.3.1 稳定性分析 | 第65-66页 |
| 5.3.2 负载牵引法 | 第66-68页 |
| 5.3.3 匹配网络的设计 | 第68-70页 |
| 5.3.4 偏置网络设计 | 第70页 |
| 5.3.5 整体布局设计 | 第70-71页 |
| 5.4 电磁场仿真 | 第71-74页 |
| 5.4.1 仿真参数设置 | 第72-73页 |
| 5.4.2 场仿真优化以及版图设计 | 第73-74页 |
| 5.5 本章小结 | 第74-75页 |
| 第六章 结论 | 第75-77页 |
| 参考文献 | 第77-81页 |
| 致谢 | 第81-83页 |
| 作者简介 | 第83-84页 |
