SiC超结VDMOS研究与优化设计
| 中文摘要 | 第8-10页 |
| ABSTRACT | 第10-11页 |
| 第一章 绪论 | 第12-19页 |
| 1.1 研究背景和意义 | 第12-15页 |
| 1.2 国内外研究现状 | 第15-17页 |
| 1.2.1 SiC VDMOS研究现状 | 第15-16页 |
| 1.2.2 SiC超结研究现状 | 第16-17页 |
| 1.3 论文内容及安排 | 第17-19页 |
| 第二章 SiC VDMOS和超结的基本理论 | 第19-37页 |
| 2.1 SiC材料介绍 | 第19-21页 |
| 2.2 SiC VDMOS的基本结构和工作原理 | 第21-25页 |
| 2.2.1 SiC VDMOS的基本结构 | 第21-22页 |
| 2.2.2 SiC VDMOS的工作原理 | 第22-25页 |
| 2.3 SiC VDMOS的主要电参数 | 第25-31页 |
| 2.3.1 阂值电压 | 第25-26页 |
| 2.3.2 击穿电压 | 第26-29页 |
| 2.3.3 导通电阻 | 第29-31页 |
| 2.4 超结的基本理论 | 第31-36页 |
| 2.5 本章小结 | 第36-37页 |
| 第三章 SiC超结VDMOS器件结构设计 | 第37-56页 |
| 3.1 Atlas仿真模型介绍 | 第37-40页 |
| 3.1.1 能带变窄模型 | 第37-38页 |
| 3.1.2 迁移率模型 | 第38-39页 |
| 3.1.3 载流子产生-复合模型 | 第39-40页 |
| 3.1.4 碰撞电离模型 | 第40页 |
| 3.2 漂移区设计 | 第40-45页 |
| 3.2.1 漂移区厚度及浓度设计与优化 | 第41-44页 |
| 3.2.2 漂移区超结失配 | 第44-45页 |
| 3.3 P阱优化 | 第45-48页 |
| 3.4 JFET区优化 | 第48-50页 |
| 3.5 沟道长度优化 | 第50-51页 |
| 3.6 整体结构设计 | 第51-55页 |
| 3.7 本章小结 | 第55-56页 |
| 第四章 改进超结VDMOS的设计及电特性对比 | 第56-61页 |
| 4.1 改进超结VDMOS的设计 | 第56-59页 |
| 4.1.1 设计原理 | 第56-57页 |
| 4.1.2 设计仿真 | 第57-59页 |
| 4.2 不同结构VDMOS电特性对比 | 第59-60页 |
| 4.3 本章小结 | 第60-61页 |
| 第五章 总结与展望 | 第61-63页 |
| 5.1 总结 | 第61-62页 |
| 5.2 展望 | 第62-63页 |
| 参考文献 | 第63-67页 |
| 致谢 | 第67-68页 |
| 攻读硕士研究生期间研究成果 | 第68-69页 |
| 学位论文评阅及答辩情况表 | 第69页 |
