采用双栅MOS结构的抗总剂量关键技术研究
| 摘要 | 第5-6页 |
| abstract | 第6-7页 |
| 第一章 绪论 | 第10-15页 |
| 1.1 研究工作的背景与意义 | 第10-11页 |
| 1.2 总剂量辐照效应的研究历史及现状 | 第11-13页 |
| 1.3 本文的主要贡献与创新 | 第13页 |
| 1.4 本论文的结构安排 | 第13-15页 |
| 第二章 总剂量辐照效应原理 | 第15-23页 |
| 2.1 辐射环境 | 第15-17页 |
| 2.1.1 空间辐射 | 第15-16页 |
| 2.1.2 大气辐射 | 第16页 |
| 2.1.3 人造辐射 | 第16-17页 |
| 2.2 总剂量辐照效应 | 第17-20页 |
| 2.2.1 电子空穴对的产生 | 第17-18页 |
| 2.2.2 氧化层陷阱电荷的形成 | 第18-19页 |
| 2.2.3 界面态陷阱电荷的形成 | 第19-20页 |
| 2.3 总剂量辐照效应对MOS器件的影响 | 第20-22页 |
| 2.3.1 阈值电压漂移 | 第20-21页 |
| 2.3.2 泄漏电流增大 | 第21-22页 |
| 2.3.3 迁移率退化 | 第22页 |
| 2.4 本章小结 | 第22-23页 |
| 第三章 双栅MOS结构器件仿真 | 第23-41页 |
| 3.1 抗总剂量辐照加固技术 | 第23-24页 |
| 3.2 器件总剂量辐照效应仿真 | 第24-25页 |
| 3.2.1 仿真流程简介 | 第24-25页 |
| 3.2.2 仿真模型建立 | 第25页 |
| 3.3 普通NMOS晶体管器件仿真 | 第25-33页 |
| 3.3.1 普通厚栅NMOS晶体管 | 第25-27页 |
| 3.3.2 普通薄栅NMOS晶体管 | 第27-29页 |
| 3.3.3 普通双栅NMOS晶体管 | 第29-33页 |
| 3.4 环栅NMOS晶体管器件仿真 | 第33-39页 |
| 3.4.1 厚环栅NMOS晶体管 | 第33-35页 |
| 3.4.2 薄环栅NMOS晶体管 | 第35-36页 |
| 3.4.3 双环栅NMOS晶体管 | 第36-39页 |
| 3.5 本章小结 | 第39-41页 |
| 第四章 双栅MOS分压结构电路仿真 | 第41-74页 |
| 4.1 双栅MOS结构晶体管尺寸的确定 | 第41-47页 |
| 4.2 双栅MOS分压结构性能仿真 | 第47-57页 |
| 4.2.1 电阻分压结构 | 第49-52页 |
| 4.2.2 二极管分压结构 | 第52-55页 |
| 4.2.3 PMOS分压结构 | 第55-57页 |
| 4.3 双栅MOS分压结构抗总剂量辐照性能仿真 | 第57-73页 |
| 4.3.1 电阻分压结构 | 第61-65页 |
| 4.3.2 二极管分压结构 | 第65-67页 |
| 4.3.3 PMOS分压结构 | 第67-73页 |
| 4.4 本章小结 | 第73-74页 |
| 第五章 双栅MOS结构版图设计及测试方案制定 | 第74-78页 |
| 5.1 版图设计 | 第74-75页 |
| 5.2 芯片测试方案 | 第75-76页 |
| 5.3 本章小结 | 第76-78页 |
| 第六章 总结与展望 | 第78-79页 |
| 6.1 全文总结 | 第78页 |
| 6.2 后续工作展望 | 第78-79页 |
| 致谢 | 第79-80页 |
| 参考文献 | 第80-85页 |
| 攻硕期间的研究成果 | 第85-86页 |
