| 摘要 | 第5-6页 |
| Abstract | 第6页 |
| 第一章 绪论 | 第8-18页 |
| 1.1 高压SOI-LIGBT器件概述 | 第8-11页 |
| 1.2 高压SOI-LIGBT器件ESD问题及研究现状 | 第11-15页 |
| 1.3 论文研究内容及组织结构 | 第15-18页 |
| 第二章 550V高压SOI-LIGBT器件设计及ESD特性研究方法 | 第18-28页 |
| 2.1 高压SOI-LIGBT器件原理 | 第18-19页 |
| 2.2 550V高压SOI-LIGBT器件设计 | 第19-25页 |
| 2.3 550V高压SOI-LIGBT器件ESD特性研究方法 | 第25-27页 |
| 2.4 本章小结 | 第27-28页 |
| 第三章 550V高压SOI-LIGBT器件ESD特性研究 | 第28-48页 |
| 3.1 550V高压SOI-LIGBT器件的ESD响应特性分析 | 第28-35页 |
| 3.2 不同结构及工艺参数对SOI-LIGBT器件ESD特性影响的研究 | 第35-41页 |
| 3.3 不同抗闩锁结构对SOI-LIGBT器件ESD特性影响的研究 | 第41-46页 |
| 3.4 不同栅极电压对SOI-LIGBT器件ESD特性影响的研究 | 第46-47页 |
| 3.5 本章小结 | 第47-48页 |
| 第四章 550V高压SOI-LIGBT器件ESD响应特性模型研究 | 第48-58页 |
| 4.1 SOI-LIGBT器件ESD响应特性建模思路 | 第48-49页 |
| 4.2 SOI-LIGBT器件ESD响应特性建模 | 第49-55页 |
| 4.3 550V高压SOI-LIGBT器件ESD响应模型验证 | 第55-57页 |
| 4.4 本章小结 | 第57-58页 |
| 第五章 总结与展望 | 第58-60页 |
| 5.1 总结 | 第58-59页 |
| 5.2 展望 | 第59-60页 |
| 致谢 | 第60-62页 |
| 参考文献 | 第62-66页 |
| 硕士期间取得成果 | 第66页 |
