| 摘要 | 第5-7页 |
| ABSTRACT | 第7-8页 |
| 符号对照表 | 第12-14页 |
| 缩略语对照表 | 第14-17页 |
| 第一章 绪论 | 第17-25页 |
| 1.1 GaN材料及器件研究进展及意义 | 第17-20页 |
| 1.1.1 GaN材料的优势及发展 | 第17-19页 |
| 1.1.2 AlGaN/GaN HEMT研究进展 | 第19-20页 |
| 1.2 GaN基增强型HEMT及E/D模电路研究进展 | 第20-22页 |
| 1.2.1 GaN基增强型HEMT研究进展 | 第20-21页 |
| 1.2.2 GaN基E/D模电路研究进展 | 第21-22页 |
| 1.3 本文主要内容 | 第22-25页 |
| 第二章 GaN基增强型HEMT研究 | 第25-43页 |
| 2.1 AlGaN/GaN HEMT基本理论 | 第25-27页 |
| 2.2 实现GaN基增强型HEMT方法及原理 | 第27-31页 |
| 2.3 制备增强型AlGaN/GaN HEMT关键工艺 | 第31-35页 |
| 2.4 增强型AlGaN/GaN HEMT特性分析 | 第35-41页 |
| 2.4.1 凹槽栅结构增强型HEMT直流特性 | 第35-38页 |
| 2.4.2 氟离子注入增强型HEMT直流特性 | 第38-41页 |
| 2.5 本章总结 | 第41-43页 |
| 第三章 GaN基HEMT模型的建立 | 第43-53页 |
| 3.1 有源器件模型的建立 | 第43-45页 |
| 3.2 GaN基HEMT的EEHEMT模型建立 | 第45-51页 |
| 3.2.1 Agilent EEHEMT模型 | 第45-48页 |
| 3.2.2 增强型/耗尽型GaN基HEMT建模 | 第48-51页 |
| 3.3 本章小结 | 第51-53页 |
| 第四章 GaN基E/D模电路研究 | 第53-67页 |
| 4.1 GaN基E/D模反相器研究 | 第53-57页 |
| 4.2 GaN基E/D模电平转换电路研究 | 第57-65页 |
| 4.2.1 电平转换电路原理 | 第59-60页 |
| 4.2.2 GaN基E/D模电平转换电路仿真 | 第60-63页 |
| 4.2.3 GaN基HEMT阈值电压对电平转换电路影响 | 第63-65页 |
| 4.3 本章总结 | 第65-67页 |
| 第五章 结束语 | 第67-69页 |
| 5.1 本文主要研究成果 | 第67-68页 |
| 5.2 未来工作的展望 | 第68-69页 |
| 参考文献 | 第69-73页 |
| 致谢 | 第73-75页 |
| 作者简介 | 第75-76页 |
