| 摘要 | 第5-6页 |
| ABSTRACT | 第6-7页 |
| 符号对照表 | 第11-12页 |
| 缩略语对照表 | 第12-15页 |
| 第一章 绪论 | 第15-23页 |
| 1.1 Ga N器件的研究意义 | 第15-17页 |
| 1.2 AlGa N/GaN HEMT 器件的研究进展 | 第17-18页 |
| 1.3 AlGaN/GaNMOS-HEMT器件的研究意义 | 第18-19页 |
| 1.4 高耐压 AlGaN/GaN HEMT 器件的研究现状 | 第19-21页 |
| 1.5 本文研究内容 | 第21-23页 |
| 第二章 AlGaN/GaN MOS-HEMT器件的基本原理 | 第23-33页 |
| 2.1 AlGaN/GaN异质结的极化效应 | 第23-25页 |
| 2.2 AlGaN/GaN MOS-HEMT器件的工作原理 | 第25-29页 |
| 2.2.1 AlGaN/GaN MOS-HEMT器件的基本结构 | 第25-26页 |
| 2.2.2 器件的特性参数 | 第26-27页 |
| 2.2.3 叠栅结构的优势 | 第27-29页 |
| 2.3 AlGaN/Ga NMOS-HEMT器件的制备 | 第29-32页 |
| 2.3.1 AlGaN/GaN MOS-HEMT工艺流程 | 第29-30页 |
| 2.3.2 栅介质材料的制备 | 第30-32页 |
| 2.4 本章小结 | 第32-33页 |
| 第三章 高 κ 叠栅AlGaN/GaN MOS-HEMT基本特性仿真 | 第33-49页 |
| 3.1 器件仿真基础 | 第33-34页 |
| 3.1.1 TCAD工具简介 | 第33页 |
| 3.1.2 仿真软件ISE-TCAD及物理模型介绍 | 第33-34页 |
| 3.2 基本物理方程 | 第34-37页 |
| 3.2.1 载流子输运模型 | 第34-35页 |
| 3.2.2 载流子迁移率模型 | 第35-36页 |
| 3.2.3 其他重要物理模型 | 第36-37页 |
| 3.3 高 κ 叠栅MOS-HEMT器件特性模拟 | 第37-47页 |
| 3.3.1 MOS-HEMT器件仿真的结构 | 第37-39页 |
| 3.3.2 引入高 κ MOS结构对HEMT特性的影响 | 第39-41页 |
| 3.3.3 不同栅氧化层厚度下的HEMT特性研究 | 第41-43页 |
| 3.3.4 高 κ 叠栅结构器件的特性研究 | 第43-47页 |
| 3.4 本章小结 | 第47-49页 |
| 第四章 高 κ 叠栅AlGaN/GaN MOS-HEMT击穿特性研究 | 第49-65页 |
| 4.1 AlGaN/GaN MOS-HEMT击穿机理研究 | 第49-52页 |
| 4.1.1 HEMT器件的击穿模型 | 第49-51页 |
| 4.1.2 仿真结果分析 | 第51-52页 |
| 4.2 高 κ 叠栅HEMT击穿特性研究 | 第52-56页 |
| 4.2.1 不同栅结构的击穿特性 | 第52页 |
| 4.2.2 高 κ 叠栅HEMT栅漏间距对击穿特性的影响 | 第52-54页 |
| 4.2.3 Al Ga N沟道的高 κ 叠栅HEMT击穿特性研究 | 第54-55页 |
| 4.2.4 陷阱电荷对器件击穿特性的影响 | 第55-56页 |
| 4.3 高 κ 叠栅AlGaN/GaN FP-HEMT击穿特性研究 | 第56-63页 |
| 4.3.1 场板结构提高击穿特性的基本原理 | 第56-58页 |
| 4.3.2 栅场板长度的优化 | 第58-60页 |
| 4.3.3 场板钝化层厚度的优化 | 第60-61页 |
| 4.3.4 双层栅源复合场板的研究 | 第61-63页 |
| 4.4 本章小结 | 第63-65页 |
| 第五章 总结与展望 | 第65-67页 |
| 5.1 总结 | 第65-66页 |
| 5.2 展望 | 第66-67页 |
| 参考文献 | 第67-71页 |
| 致谢 | 第71-73页 |
| 作者简介 | 第73-74页 |
