| 摘要 | 第4-5页 |
| ABSTRACT | 第5-6页 |
| 第一章 绪论 | 第9-17页 |
| 1.1 研究背景 | 第9-12页 |
| 1.1.1 辐射环境 | 第9-11页 |
| 1.1.2 空间辐射效应 | 第11-12页 |
| 1.2 辐射效应研究现状 | 第12-15页 |
| 1.2.1 国外研究现状 | 第12-14页 |
| 1.2.2 国内研究现状 | 第14-15页 |
| 1.3 本文的研究内容与结构 | 第15-17页 |
| 第二章 单粒子效应 | 第17-31页 |
| 2.1 单粒子效应 | 第17-25页 |
| 2.1.1 单粒子效应的分类 | 第17-21页 |
| 2.1.2 单粒子电荷收集效应 | 第21-24页 |
| 2.1.3 单粒子效应的量化描述 | 第24-25页 |
| 2.2 Sentaurus TCAD单粒子效应的模拟方法 | 第25-31页 |
| 2.2.1 Sentaurus TCAD软件简介 | 第25-27页 |
| 2.2.2 Sentaurus TCAD的单粒子效应模拟 | 第27-31页 |
| 第三章 90 nm PMOS管单粒子效应的仿真与加固 | 第31-45页 |
| 3.1 90 nm PMOS管的建模与校准 | 第31-33页 |
| 3.2 90 nm PMOS管的单粒子效应 | 第33-36页 |
| 3.3 阱接触对 90 nm PMOS管单粒子效应的影响 | 第36-39页 |
| 3.4 保护漏和保护环对 90 nm PMOS管单粒子效应的加固 | 第39-43页 |
| 3.5 本章小结 | 第43-45页 |
| 第四章 90 nm反相器PMOS管的单粒子效应加固 | 第45-54页 |
| 4.1 三管共漏结构的特征简介 | 第45-46页 |
| 4.2 三管共漏结构的工作原理 | 第46-47页 |
| 4.3 三管共漏结构单粒子效应的软件模拟 | 第47-49页 |
| 4.4 三管共漏结构的版图加固 | 第49-53页 |
| 4.5 本章小结 | 第53-54页 |
| 第五章 总结与展望 | 第54-56页 |
| 5.1 论文总结 | 第54-55页 |
| 5.2 工作展望 | 第55-56页 |
| 参考文献 | 第56-62页 |
| 致谢 | 第62-63页 |
| 附录A 个人简历 | 第63-64页 |
| 附录B 攻读硕士学位期间发表论文目录 | 第64-65页 |
| 附录C 程序 | 第65-70页 |
