| 摘要 | 第4-6页 |
| Abstract | 第6-8页 |
| 第一章 绪论 | 第11-28页 |
| 1.1 研究背景 | 第11-12页 |
| 1.2 FinFET优势与挑战 | 第12-15页 |
| 1.3 氢热处理技术研究进展 | 第15-19页 |
| 1.3.1 氢热处理改善硅表面粗糙度的作用 | 第16-17页 |
| 1.3.2 氢热处理控制硅沟槽角和纳米结构 | 第17-19页 |
| 1.4 固体扩散理论及蒙特卡洛模拟方法 | 第19-23页 |
| 1.4.1 表面扩散理论 | 第19-22页 |
| 1.4.2 蒙特卡洛方法 | 第22-23页 |
| 1.5 本文研究内容和结构安排 | 第23-25页 |
| 参考文献 | 第25-28页 |
| 第二章 氢热处理硅/锗面演化实验研究 | 第28-51页 |
| 2.1 引言 | 第28页 |
| 2.2 高温热处理硅表面结构演化特征研究 | 第28-35页 |
| 2.2.1 氢热处理对硅表面形貌的影响 | 第28-33页 |
| 2.2.2 不同气氛对硅表面形貌的影响 | 第33-35页 |
| 2.3 氢热处理硅纳米结构演化特征 | 第35-42页 |
| 2.3.1 硅纳米结构形貌变化 | 第35-41页 |
| 2.3.2 Fin形貌及粗糙度变化 | 第41-42页 |
| 2.4 氢热处理锗表面形貌演化研究 | 第42-47页 |
| 2.4.1 不同晶面的形貌变化 | 第42-47页 |
| 2.5 本章小结 | 第47-48页 |
| 参考文献 | 第48-51页 |
| 第三章 表面扩散理论与蒙特卡洛模拟 | 第51-70页 |
| 3.1 引言 | 第51-52页 |
| 3.2 理论研究方法 | 第52-58页 |
| 3.2.1 第一性原理和分子动力学模拟 | 第52-54页 |
| 3.2.2 基于Mullins方程的连续性方程理论 | 第54-56页 |
| 3.2.3 蒙特卡洛模型 | 第56-58页 |
| 3.3 氢热处理中硅表面扩散的蒙特卡洛模拟 | 第58-66页 |
| 3.3.1 无氢氛围表面原子迁移特征 | 第58-61页 |
| 3.3.2 有氢氛围表面原子迁移特征 | 第61-66页 |
| 3.4 本章小结 | 第66-67页 |
| 参考文献 | 第67-70页 |
| 第四章 氢热处理硅表面演化的蒙特卡洛模拟研究 | 第70-95页 |
| 4.1 引言 | 第70-71页 |
| 4.2 硅表面演化的动力学蒙特卡洛模拟 | 第71-78页 |
| 4.2.1 硅表面粗糙度参数描述 | 第71-75页 |
| 4.2.2 蒙特卡洛模拟的表面模型 | 第75-78页 |
| 4.3 氢热处理硅表面形貌演化特征 | 第78-85页 |
| 4.3.1 不同表面结构在高温下演化特征 | 第78-80页 |
| 4.3.2 热处理温度对表面形貌演化的影响 | 第80-84页 |
| 4.3.3 粗糙度对表面形貌演化进程的影响 | 第84-85页 |
| 4.4 氢气压对表面结构演化影响特征 | 第85-91页 |
| 4.4.1 表面原子迁移激活能与氢气压的关系 | 第85-87页 |
| 4.4.2 氢气压对表面结构演化的影响特征 | 第87-91页 |
| 4.5 本章小结 | 第91-92页 |
| 参考文献 | 第92-95页 |
| 第五章 氢热处理FinFET沟道优化的研究 | 第95-115页 |
| 5.1 引言 | 第95-96页 |
| 5.2 蒙特卡洛模拟与粗糙度参数 | 第96-101页 |
| 5.2.1 FinFET沟道模型 | 第96-98页 |
| 5.2.2 粗糙度参数描述 | 第98-101页 |
| 5.3 氢热处理FinFET沟道的演化特征 | 第101-111页 |
| 5.3.1 蒙特卡洛模拟分析 | 第101-109页 |
| 5.3.2 氢热处理实验表征 | 第109-111页 |
| 5.4 本章小结 | 第111-112页 |
| 参考文献 | 第112-115页 |
| 第六章 总结与展望 | 第115-118页 |
| 6.1 主要结论 | 第115-117页 |
| 6.2 研究展望 | 第117-118页 |
| 致谢 | 第118-120页 |
| 攻读博士期间发表文章及专利 | 第120-121页 |