| 摘要 | 第3-4页 |
| Abstract | 第4-5页 |
| 第一章 绪论 | 第8-14页 |
| 1.1 研究背景与意义 | 第8-10页 |
| 1.2 国内外研究现状 | 第10-12页 |
| 1.3 论文的主要研究内容和架构 | 第12-14页 |
| 第二章 MOS界面态表征理论基础 | 第14-24页 |
| 2.1 MOS结构的电容特性分析 | 第14-19页 |
| 2.1.1 MOS二极管的基本结构 | 第14-17页 |
| 2.1.2 MOS电容的参数提取 | 第17-19页 |
| 2.2 MOS系统中的电荷种类 | 第19-20页 |
| 2.3 界面缺陷态密度表征方法及原理 | 第20-23页 |
| 2.3.1 准静态法 | 第21-22页 |
| 2.3.2 电导法 | 第22-23页 |
| 2.3.3 Terman法 | 第23页 |
| 2.4 本章小结 | 第23-24页 |
| 第三章 变波长光辅助C-V法研究ALD Al_2O_3/n-GaN界面特性 | 第24-38页 |
| 3.1 原子层沉积技术概述 | 第24-26页 |
| 3.1.1 原子层沉积技术 | 第24-25页 |
| 3.1.2 Al_2O_3作介质层的优势 | 第25-26页 |
| 3.2 器件制备与表征 | 第26-30页 |
| 3.2.1 标准光刻技术 | 第26-29页 |
| 3.2.2 电容表征系统 | 第29-30页 |
| 3.3 Al_2O_3/n-GaN MOS二极管界面特性研究 | 第30-35页 |
| 3.3.1 GaN深能级电子发射时间及少子产生速率 | 第30-31页 |
| 3.3.2 变波长光辅助高频C-V技术 | 第31-33页 |
| 3.3.3 界面缺陷态平均值计算 | 第33-35页 |
| 3.4 积累区频率散射行为分析 | 第35-37页 |
| 3.5 本章小结 | 第37-38页 |
| 第四章 背照式光辅助C-V法研究ALD Al_2O_3/n-GaN界面特性 | 第38-46页 |
| 4.1 器件制备与表征 | 第38-39页 |
| 4.1.1 器件制备 | 第38页 |
| 4.1.2 水银探针台 | 第38-39页 |
| 4.2 Al_2O_3/n-GaN结构缺陷态表征 | 第39-44页 |
| 4.2.1 背照式光辅助高频C-V技术 | 第40-43页 |
| 4.2.2 氧化层边界缺陷电荷密度计算 | 第43页 |
| 4.2.3 界面深能级缺陷态密度分布计算 | 第43-44页 |
| 4.3 Al_2O_3/n-GaN光时间响应特性分析 | 第44-45页 |
| 4.4 本章小结 | 第45-46页 |
| 第五章 总结与展望 | 第46-48页 |
| 5.1 总结 | 第46页 |
| 5.2 展望 | 第46-48页 |
| 致谢 | 第48-49页 |
| 参考文献 | 第49-54页 |
| 附录: 作者在攻读硕士学位期间发表的论文 | 第54页 |
