| 摘要 | 第4-5页 |
| Abstract | 第5页 |
| 第1章 绪论 | 第8-11页 |
| 1.1 引言 | 第8-9页 |
| 1.2 论文课题研究的意义 | 第9页 |
| 1.3 本课题的主要工作及组织结构 | 第9-11页 |
| 第2章 无结场效应晶体管简介 | 第11-15页 |
| 2.1 无结场效应晶体管的产生 | 第11页 |
| 2.2 无结场效应晶体管的工作原理 | 第11-13页 |
| 2.3 无结场效应晶体管的几种主要性能 | 第13-14页 |
| 2.3.1 开关比 | 第13页 |
| 2.3.2 亚阈值斜率 | 第13页 |
| 2.3.3 阈值电压 | 第13页 |
| 2.3.4 载流子迁移率 | 第13-14页 |
| 2.4 本章小结 | 第14-15页 |
| 第3章 无结场效应晶体管模拟仿真方法及SOI基本原理简介 | 第15-19页 |
| 3.1 模拟仿真软件SILVACO简介 | 第15-17页 |
| 3.1.1 Deckbuild | 第15-16页 |
| 3.1.2 Tonyplot | 第16页 |
| 3.1.3 Athena | 第16页 |
| 3.1.4 ATLAS | 第16页 |
| 3.1.5 DevEdit 2D/3D结构和Mesh编辑器 | 第16-17页 |
| 3.2 SOI简介 | 第17-18页 |
| 3.3 本章小结 | 第18-19页 |
| 第4章 无结场效应晶体管的性能研究 | 第19-59页 |
| 4.1 硅纳米线不均匀掺杂对无结场效应晶体管性能的影响 | 第19-39页 |
| 4.1.1 左右不均匀掺杂 | 第20-31页 |
| 4.1.2 前后不均匀掺杂 | 第31-39页 |
| 4.2 氧化物不对称对无结场效应晶体管性能的影响 | 第39-51页 |
| 4.2.1 氧化物厚度对称的情况 | 第39-41页 |
| 4.2.2 氧化物厚度不对称的情况 | 第41-51页 |
| 4.3 SOI所加电压与SOI各部分厚度对无结场效应晶体管性能的影响 | 第51-57页 |
| 4.3.1 SOI所加电压对器件性能的影响 | 第52-54页 |
| 4.3.2 SOI各部分厚度对器件性能影响 | 第54-57页 |
| 4.4 本章小结 | 第57-59页 |
| 第5章 结论 | 第59-60页 |
| 参考文献 | 第60-63页 |
| 在学研究成果 | 第63-64页 |
| 致谢 | 第64页 |
