| 摘要 | 第5-6页 |
| abstract | 第6-7页 |
| 第一章 绪论 | 第10-15页 |
| 1.1 研究背景 | 第10-12页 |
| 1.2 国内外研究现状 | 第12-13页 |
| 1.3 本文主要内容及结构安排 | 第13-15页 |
| 第二章 AlGaN/GaN HEMT器件物理 | 第15-31页 |
| 2.1 III族氮化物的自发极化与压电极化 | 第15-18页 |
| 2.2 AlGaN/Ga N异质结二维电子气的形成 | 第18-21页 |
| 2.3 常规AlGaN/GaN HEMT器件结构及工作原理 | 第21-24页 |
| 2.4 实现增强型AlGaN/GaN HEMT的方法 | 第24-30页 |
| 2.5 本章小结 | 第30-31页 |
| 第三章 AlGaN/Ga N凹槽栅MISHEMT器件的仿真研究 | 第31-43页 |
| 3.1 器件尺寸对AlGaN/GaN HEMT器件性能的影响 | 第31-35页 |
| 3.2 栅槽深度对AlGaN/GaN凹槽栅MISHEMT器件的影响 | 第35-39页 |
| 3.3 栅介质对AlGaN/Ga N凹槽栅MISHEMT器件的影响 | 第39-42页 |
| 3.4 本章小结 | 第42-43页 |
| 第四章 AlGaN/Ga N凹槽栅MISHEMT器件的制备工艺 | 第43-59页 |
| 4.1 栅槽制备工艺 | 第43-49页 |
| 4.1.1 ICP干法刻蚀栅槽 | 第43-45页 |
| 4.1.2 数字氧化刻蚀栅槽方式 | 第45-46页 |
| 4.1.3 热氧化后湿法腐蚀栅槽方式 | 第46-48页 |
| 4.1.4 新型槽栅制备工艺 | 第48-49页 |
| 4.2 AlGaN/Ga N凹槽栅MISHEMT器件制备的其他工艺 | 第49-57页 |
| 4.2.1 表面清洗 | 第49页 |
| 4.2.2 光刻与金属剥离工艺 | 第49-51页 |
| 4.2.3 有源区隔离 | 第51-52页 |
| 4.2.4 欧姆接触金属 | 第52-54页 |
| 4.2.5 栅极肖特基接触金属 | 第54-56页 |
| 4.2.6 栅介质淀积与表面钝化 | 第56-57页 |
| 4.3 AlGaN/Ga N凹槽栅MISHEMT器件制备的一般工艺流程 | 第57-58页 |
| 4.4 本章小结 | 第58-59页 |
| 第五章 AlGaN/Ga N凹槽栅MISHEMT器件研制 | 第59-77页 |
| 5.1 器件版图设计与晶圆材料 | 第59-63页 |
| 5.1.1 器件版图设计 | 第59-61页 |
| 5.1.2 实验所用的GaN晶圆材料 | 第61-63页 |
| 5.2 AlGaN/Ga N凹槽栅MISHEMT器件的制备与测试 | 第63-70页 |
| 5.2.1 AlGaN/GaN HEMT器件的制备与测试 | 第63-64页 |
| 5.2.2 AlGaN/Ga N凹槽栅MISHEMT器件结构与制备流程 | 第64-66页 |
| 5.2.3 AlGaN/Ga N凹槽栅MISHEMT器件的测试与分析 | 第66-70页 |
| 5.3 栅沉AlGaN/GaN HEMT新结构器件的制备与测试 | 第70-76页 |
| 5.3.1 栅沉AlGaN/GaN HEMT器件结构与制备流程 | 第70-73页 |
| 5.3.2 栅沉AlGaN/GaN HEMT新结构器件测试与分析 | 第73-76页 |
| 5.4 本章小结 | 第76-77页 |
| 第六章 全文总结与展望 | 第77-79页 |
| 6.1 全文总结 | 第77-78页 |
| 6.2 后续工作展望 | 第78-79页 |
| 致谢 | 第79-80页 |
| 参考文献 | 第80-87页 |
| 攻读硕士学位期间取得的成果 | 第87-88页 |
