| 摘要 | 第8-11页 |
| ABSTRACT | 第11-13页 |
| 主要符号表 | 第14-15页 |
| 第一章 绪论 | 第15-24页 |
| 1.1 GaN HEMT器件和GaAs PHEMT器件特性对比研究的背景意义 | 第15页 |
| 1.2 微电子领域发展史 | 第15-16页 |
| 1.3 GaAs PHEMT器件发展历程 | 第16-21页 |
| 1.4 GaN HEMT器件发展历程 | 第21-23页 |
| 1.5 本文的主要工作 | 第23-24页 |
| 第二章 GaAs PHEMT和GaN HEMT的器件结构和工作机理 | 第24-42页 |
| 2.1 GaAs PHEMT的器件结构和工作机理 | 第24-31页 |
| 2.1.1 GaAs材料的性质和优势 | 第24-27页 |
| 2.1.2 GaAs PHEMT器件结构 | 第27-31页 |
| 2.2 GaN HEMT的器件结构和工作机理 | 第31-42页 |
| 2.2.1 GaN材料及其极化效应 | 第31-36页 |
| 2.2.2 AlGaN/GaN异质结2DEG的产生 | 第36-38页 |
| 2.2.3 GaN HEMT器件结构 | 第38-42页 |
| 第三章 GaAs PHEMT和GaN HEMT的器件制备和测试 | 第42-50页 |
| 3.1 GaAs PHEMT器件的制备工艺 | 第42-46页 |
| 3.1.1 设计版图制作掩膜版 | 第42-43页 |
| 3.1.2 清洗工艺 | 第43页 |
| 3.1.3 曝光与光刻工艺 | 第43-44页 |
| 3.1.4 台面隔离工艺 | 第44-45页 |
| 3.1.5 欧姆接触工艺 | 第45页 |
| 3.1.6 肖特基接触工艺 | 第45-46页 |
| 3.1.7 金属化工艺 | 第46页 |
| 3.2 GaN HEMT器件的制备工艺 | 第46-47页 |
| 3.2.1 台面隔离工艺 | 第46页 |
| 3.2.2 欧姆接触工艺 | 第46-47页 |
| 3.2.3 肖特基接触工艺 | 第47页 |
| 3.3 器件特性与测试 | 第47-50页 |
| 3.3.1 霍尔测试 | 第47页 |
| 3.3.2 电学性能测试 | 第47-50页 |
| 第四章 GaN HEMT器件和GaAs PHEMT器件的载流子迁移率对比研究 | 第50-72页 |
| 4.1 GaN HEMT器件的载流子迁移率 | 第50-65页 |
| 4.1.1 GaN HEMT器件散射机制 | 第50-54页 |
| 4.1.2 GaN HEMT器件PCF散射载流子迁移率计算 | 第54-58页 |
| 4.1.3 GaN HEMT器件特性测试分析 | 第58-65页 |
| 4.2 GaAs PHEMT器件的载流子迁移率 | 第65-71页 |
| 4.2.1 GaAs PHEMT器件散射机理 | 第65-67页 |
| 4.2.2 GaAs PHEMT器件载流子迁移率计算方法 | 第67-68页 |
| 4.2.3 GaAs PHEMT器件载流子迁移率特性测试分析 | 第68-71页 |
| 4.3 GaN HEMT器件和GaAs PHEMT器件的载流子迁移率对比分析 | 第71-72页 |
| 第五章 GaN HEMT器件和GaAs PHEMT器件的栅源寄生串联电阻特性对比研究 | 第72-81页 |
| 5.1 栅源寄生串联电阻Rs特性测试方法 | 第72-73页 |
| 5.2 GaN HEMT器件栅源寄生串联电阻Rs特性测试 | 第73-77页 |
| 5.3 GaAs PHEMT器件栅源寄生串联电阻Rs特性测试 | 第77-80页 |
| 5.4 GaN HEMT器件和GaAs PHEMT器件的栅源寄生串联电阻Rs对比分析 | 第80-81页 |
| 第六章 GaN HEMT器件和GaAs PHEMT器件的跨导特性对比研究 | 第81-86页 |
| 6.1 GaN HEMT器件的跨导特性 | 第82-84页 |
| 6.2 GaAs PHEMT器件的跨导特性 | 第84-85页 |
| 6.3 GaN HEMT器件和GaAs PHEMT器件的跨导特性对比分析 | 第85-86页 |
| 第七章 结论 | 第86-88页 |
| 参考文献 | 第88-98页 |
| 致谢 | 第98-99页 |
| 攻读硕士学位期间发表的学术论文目录 | 第99-100页 |
| 学位论文评阅及答辩情况表 | 第100页 |
