| 摘要 | 第5-6页 |
| Abstract | 第6页 |
| 第一章 绪论 | 第9-23页 |
| 1.1 研究背景与意义 | 第9-13页 |
| 1.1.1 课题研究的意义 | 第10-11页 |
| 1.1.2 集成电路可靠性问题 | 第11-13页 |
| 1.2 本课题的研究进展 | 第13-20页 |
| 1.2.1 热载流子效应研究进展 | 第13-15页 |
| 1.2.2 SOI技术 | 第15-17页 |
| 1.2.3 SPICE模型介绍与模型提取流程 | 第17-20页 |
| 1.3 本文主要内容 | 第20-21页 |
| 1.4 课题研究路径与工作流程 | 第21-23页 |
| 第二章 热载流子效应模型 | 第23-33页 |
| 2.1 热载流子效应 | 第23-24页 |
| 2.2 热载流子效应的应力偏置分区 | 第24-25页 |
| 2.3 幸运电子模型 | 第25-28页 |
| 2.3.1 体硅中的幸运电子模型 | 第25-26页 |
| 2.3.2 SOI中的幸运电子模型 | 第26-27页 |
| 2.3.3 热载流子效应模型的修正 | 第27-28页 |
| 2.4 提参建模的数据筛选方法 | 第28-33页 |
| 第三章 SOI CMOS器件热载流子效应的测试方法 | 第33-55页 |
| 3.1 试验平台 | 第35-42页 |
| 3.1.1 工艺平台 | 第35-38页 |
| 3.1.2 测试平台 | 第38-40页 |
| 3.1.3 样品的选择与制备 | 第40-42页 |
| 3.2 加速应力试验 | 第42-50页 |
| 3.2.1 应力偏压条件的确定 | 第42-46页 |
| 3.2.2 加速应力试验的操作 | 第46-47页 |
| 3.2.3 加速应力试验的干扰 | 第47-50页 |
| 3.3 加速应力试验的初步结果 | 第50-55页 |
| 第四章 SOI CMOS器件热载流子效应的提参与建模 | 第55-75页 |
| 4.1 SOI CMOS器件热载流子效应的模型 | 第55-67页 |
| 4.1.1 参数退化与应力加速时间(t)的关系 | 第55-59页 |
| 4.1.2 参数变化与器件沟宽(W)的关系 | 第59-61页 |
| 4.1.3 阈值电压(V_(th))退化模型 | 第61-66页 |
| 4.1.4 0.18μm PD SOI H形栅NMOSFET的热载流子模型 | 第66-67页 |
| 4.2 TCAD模型失效机理分析 | 第67-71页 |
| 4.3 模型的验证 | 第71-75页 |
| 第五章 结论与展望 | 第75-77页 |
| 5.1 结论 | 第75-76页 |
| 5.2 展望 | 第76-77页 |
| 参考文献 | 第77-81页 |
| 致谢 | 第81-83页 |
| 个人简历、在学期间发表的论文与研究成果 | 第83页 |
