| 摘要 | 第5-7页 |
| ABSTRACT | 第7-8页 |
| 符号对照表 | 第12-14页 |
| 缩略语对照表 | 第14-17页 |
| 第一章 绪论 | 第17-29页 |
| 1.1 近年来 4H-SiC MESFET的发展现状 | 第19-26页 |
| 1.2 本文的创新点和主要内容 | 第26-29页 |
| 1.2.1 本文的创新点 | 第26页 |
| 1.2.2 主要工作 | 第26页 |
| 1.2.3 主要内容 | 第26-29页 |
| 第二章 具有坡形栅结构的 4H-SiC MESFET新结构及其物理模型 | 第29-39页 |
| 2.1 具有坡形栅结构的 4H-SiC MESFET新结构 | 第29-31页 |
| 2.1.1 物理参数 | 第29-30页 |
| 2.1.2 制备工艺 | 第30-31页 |
| 2.2 物理模型及参数 | 第31-36页 |
| 2.2.1 基本模型 | 第31-33页 |
| 2.2.2 仿真的模型和参数 | 第33-36页 |
| 2.3 小结 | 第36-39页 |
| 第三章 栅结构对 4H-SiC MESFET的物理特性的影响分析 | 第39-51页 |
| 3.1 双凹栅MESFET与常规结构 4H-SiC MESFET物理特性的对比分析 | 第40-43页 |
| 3.2 阶梯栅MESFET与双凹栅MESFET物理特性参数的对比分析 | 第43-49页 |
| 3.2.1 阶梯栅MESFET与双凹栅MESFET直流特性的对比分析 | 第43-46页 |
| 3.2.2 阶梯栅MESFET与双凹栅MESFET射频特性的对比分析 | 第46-49页 |
| 3.3 坡形栅MESFET的预期物理特性 | 第49-50页 |
| 3.4 小结 | 第50-51页 |
| 第四章 坡形栅MESFET的参数仿真与器件优化 | 第51-67页 |
| 4.1 器件特征参数 | 第51-52页 |
| 4.2 物理特性研究及优化 | 第52-63页 |
| 4.2.1 直流特性 | 第52-58页 |
| 4.2.2 射频特性 | 第58-63页 |
| 4.3 小结 | 第63-67页 |
| 第五章 总结与展望 | 第67-69页 |
| 5.1 论文总结 | 第67-68页 |
| 5.2 研究展望 | 第68-69页 |
| 参考文献 | 第69-73页 |
| 致谢 | 第73-75页 |
| 作者简介 | 第75-77页 |
