| 摘要 | 第8-11页 |
| ABSTRACT | 第11-14页 |
| 符号表 | 第15-17页 |
| 第一章 绪论 | 第17-24页 |
| 1.1 GaN基材料与器件研究背景及意义 | 第17-21页 |
| 1.1.1 GaN基材料研究背景 | 第17-18页 |
| 1.1.2 GaN基器件的分类及发展历史 | 第18-21页 |
| 1.2 本论文的研究内容与安排 | 第21-24页 |
| 第二章 AlGaN/GaN HEMTs的制备测试与工作原理 | 第24-36页 |
| 2.1 AlGaN/GaN异质材料的生长 | 第24-26页 |
| 2.1.1 衬底的选择 | 第24-25页 |
| 2.1.2 外延生长工艺 | 第25-26页 |
| 2.2 AlGaN/GaN HEMTs器件的制备 | 第26-28页 |
| 2.2.1 清洗工艺 | 第26页 |
| 2.2.2 图形曝光和光刻工艺 | 第26-27页 |
| 2.2.3 器件台面隔离工艺 | 第27页 |
| 2.2.4 欧姆接触工艺 | 第27-28页 |
| 2.2.5 肖特基接触工艺 | 第28页 |
| 2.3 AlGaN/GaN异质材料与器件参数测试 | 第28-33页 |
| 2.3.1 AlGaN/GaN异质材料参数测试 | 第28页 |
| 2.3.2 AlGaN/GaN HEMTs器件参数测试 | 第28-33页 |
| 2.4 AlGaN/GaN HEMTs器件的工作原理 | 第33-36页 |
| 第三章 极化库仑场散射对器件线性区栅源沟道寄生电阻的影响 | 第36-55页 |
| 3.1 一种排除因欧姆接触个体差异导致欧姆处附加极化电荷差异的方法 | 第37-41页 |
| 3.2 AlGaN/GaN异质结构界面处沟道内附加散射势的确定 | 第41-44页 |
| 3.3 散射理论下寄生串联电阻的影响机理 | 第44-48页 |
| 3.4 极化库仑场散射对AlGaN/GaN HEMTs低场栅源沟道寄生电阻的影响 | 第48-55页 |
| 第四章 极化库仑场散射对长栅长器件饱和区寄生电阻的影响 | 第55-68页 |
| 4.1 长栅长器件饱和区各静态偏置点处寄生串联电阻确定 | 第56-59页 |
| 4.2 长栅长AlGaN/GaN HEMTs饱和区夹断饱和机理 | 第59-63页 |
| 4.3 夹断饱和机制下AlGaN/GaN HEMTs沟道附加极化电荷分布 | 第63-65页 |
| 4.4 极化库仑场散射对长栅长AlGaN/GaN HEMTs饱和区寄生电阻的影响 | 第65-68页 |
| 第五章 结论 | 第68-71页 |
| 参考文献 | 第71-77页 |
| 致谢 | 第77-78页 |
| 攻读硕士学位期间研究成果 | 第78-79页 |
| 学位论文评阅及答辩情况表 | 第79页 |
