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新型凹槽栅极应变Ge NMOS器件设计与特性研究

摘要第5-6页
ABSTRACT第6页
符号对照表第11-12页
缩略语对照表第12-15页
第一章 绪论第15-21页
    1.1 常规CMOS等比例缩小所面临的问题第15-16页
    1.2 Ge材料的优势和应变Ge器件的应用前景第16-17页
        1.2.1 Ge材料的发展和优势第16-17页
        1.2.2 应变Ge器件的应用第17页
    1.3 国内外发展情况第17-19页
    1.4 本文主要工作第19-21页
第二章 应力技术及应变Ge基本物理参数第21-39页
    2.1 应变技术研究第21-22页
        2.1.1 全局应变技术第21页
        2.1.2 局部应变技术第21-22页
    2.2 应变Ge层制备研究第22-30页
        2.2.1 SiGe虚拟衬底制备研究第22-24页
        2.2.2 应变Ge层制备研究第24-26页
        2.2.3 应变Ge上应变Si帽层外延技术研究第26-30页
    2.3 单轴应变Ge有效质量第30-33页
    2.4 单轴应变Ge有效状态密度及本征载流子浓度第33-36页
    2.5 单轴应变Ge载流子迁移率第36-38页
    2.6 本章小结第38-39页
第三章 应变Ge器件栅极制备研究第39-57页
    3.1 应变Ge器件高k栅介质制备方法的研究第39-45页
        3.1.1 高k栅介质的ALD第39-42页
        3.1.2 高k栅介质的UVO第42-45页
    3.2 应变Ge的氮氧化物栅介质工艺优化第45-55页
        3.2.1 Ge的氮氧化物的合成与性质第45-49页
        3.2.2 基本MOS电学特性第49-52页
        3.2.3 栅介质-衬底界面的分析第52-54页
        3.2.4 栅介质的漏电行为第54-55页
    3.3 本章小结第55-57页
第四章 应变Ge NMOS器件设计与实现方法第57-67页
    4.1 应变Ge NMOS器件设计第57-58页
    4.2 应变Ge NMOS器件的实现方法第58-65页
        4.2.1 应变Ge NMOS器件掺杂元素的研究与器件仿真第58-60页
        4.2.2 应变Ge NMOS器件结构与掺杂方式的研究第60-62页
        4.2.3 应变Ge NMOS器件应力引入方式的研究第62-65页
    4.3 基于应变Ge NMOS的应变Ge CMOS设计第65-66页
    4.4 本章小结第66-67页
第五章 应变Ge NMOS器件参数优化第67-81页
    5.1 栅氧化层材料对应变Ge NMOS器件性能的影响第67-71页
    5.2 栅极金属材料对应变Ge NMOS器件性能的影响第71-74页
    5.3 栅极凹槽形状对应变Ge NMOS器件性能的影响第74-76页
    5.4 经过优化后的应变Ge NMOS器件与CMOS结构第76-79页
        5.4.1 经过优化后的应变Ge NMOS器件第76-78页
        5.4.2 基于应变Ge NMOS器件的应变Ge CMOS结构第78-79页
    5.5 本章小结第79-81页
第六章 结果与展望第81-83页
    6.1 论文的主要结论第81页
    6.2 进一步研究工作的考虑第81-83页
参考文献第83-87页
致谢第87-89页
作者简介第89-91页

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