摘要 | 第5-6页 |
ABSTRACT | 第6页 |
符号对照表 | 第11-12页 |
缩略语对照表 | 第12-15页 |
第一章 绪论 | 第15-21页 |
1.1 常规CMOS等比例缩小所面临的问题 | 第15-16页 |
1.2 Ge材料的优势和应变Ge器件的应用前景 | 第16-17页 |
1.2.1 Ge材料的发展和优势 | 第16-17页 |
1.2.2 应变Ge器件的应用 | 第17页 |
1.3 国内外发展情况 | 第17-19页 |
1.4 本文主要工作 | 第19-21页 |
第二章 应力技术及应变Ge基本物理参数 | 第21-39页 |
2.1 应变技术研究 | 第21-22页 |
2.1.1 全局应变技术 | 第21页 |
2.1.2 局部应变技术 | 第21-22页 |
2.2 应变Ge层制备研究 | 第22-30页 |
2.2.1 SiGe虚拟衬底制备研究 | 第22-24页 |
2.2.2 应变Ge层制备研究 | 第24-26页 |
2.2.3 应变Ge上应变Si帽层外延技术研究 | 第26-30页 |
2.3 单轴应变Ge有效质量 | 第30-33页 |
2.4 单轴应变Ge有效状态密度及本征载流子浓度 | 第33-36页 |
2.5 单轴应变Ge载流子迁移率 | 第36-38页 |
2.6 本章小结 | 第38-39页 |
第三章 应变Ge器件栅极制备研究 | 第39-57页 |
3.1 应变Ge器件高k栅介质制备方法的研究 | 第39-45页 |
3.1.1 高k栅介质的ALD | 第39-42页 |
3.1.2 高k栅介质的UVO | 第42-45页 |
3.2 应变Ge的氮氧化物栅介质工艺优化 | 第45-55页 |
3.2.1 Ge的氮氧化物的合成与性质 | 第45-49页 |
3.2.2 基本MOS电学特性 | 第49-52页 |
3.2.3 栅介质-衬底界面的分析 | 第52-54页 |
3.2.4 栅介质的漏电行为 | 第54-55页 |
3.3 本章小结 | 第55-57页 |
第四章 应变Ge NMOS器件设计与实现方法 | 第57-67页 |
4.1 应变Ge NMOS器件设计 | 第57-58页 |
4.2 应变Ge NMOS器件的实现方法 | 第58-65页 |
4.2.1 应变Ge NMOS器件掺杂元素的研究与器件仿真 | 第58-60页 |
4.2.2 应变Ge NMOS器件结构与掺杂方式的研究 | 第60-62页 |
4.2.3 应变Ge NMOS器件应力引入方式的研究 | 第62-65页 |
4.3 基于应变Ge NMOS的应变Ge CMOS设计 | 第65-66页 |
4.4 本章小结 | 第66-67页 |
第五章 应变Ge NMOS器件参数优化 | 第67-81页 |
5.1 栅氧化层材料对应变Ge NMOS器件性能的影响 | 第67-71页 |
5.2 栅极金属材料对应变Ge NMOS器件性能的影响 | 第71-74页 |
5.3 栅极凹槽形状对应变Ge NMOS器件性能的影响 | 第74-76页 |
5.4 经过优化后的应变Ge NMOS器件与CMOS结构 | 第76-79页 |
5.4.1 经过优化后的应变Ge NMOS器件 | 第76-78页 |
5.4.2 基于应变Ge NMOS器件的应变Ge CMOS结构 | 第78-79页 |
5.5 本章小结 | 第79-81页 |
第六章 结果与展望 | 第81-83页 |
6.1 论文的主要结论 | 第81页 |
6.2 进一步研究工作的考虑 | 第81-83页 |
参考文献 | 第83-87页 |
致谢 | 第87-89页 |
作者简介 | 第89-91页 |