| 摘要 | 第5-6页 |
| ABSTRACT | 第6页 |
| 符号对照表 | 第10-11页 |
| 缩略语对照表 | 第11-14页 |
| 第一章 绪论 | 第14-20页 |
| 1.1 论文背景和研究意义 | 第14-15页 |
| 1.2 AlGaN/GaN HEMT器件耐压特性研究现状 | 第15-17页 |
| 1.3 论文主要内容和结构安排 | 第17-20页 |
| 第二章 AlGaN/GaN HEMT基础理论和Sentaurus软件介绍 | 第20-38页 |
| 2.1 AlGaN/GaN异质结 2DEG的成因 | 第20-25页 |
| 2.1.1 极化效应 | 第20-23页 |
| 2.1.2 2DEG的来源 | 第23-25页 |
| 2.2 AlGaN/GaN HEMT的基本结构和工作原理 | 第25-28页 |
| 2.3 工艺制备增强型AlGaN/GaN HEMT的方法 | 第28-30页 |
| 2.4 AlGaN/GaN HEMT击穿机制和改进方法 | 第30-34页 |
| 2.5 Sentaurus TCAD软件简介 | 第34-36页 |
| 2.6 本章小结 | 第36-38页 |
| 第三章 AlGaN/GaN HEMT缓冲层受主陷阱对泄漏电流影响 | 第38-50页 |
| 3.1 AlGaN/GaN HEMT泄漏电流的形成原因 | 第38-41页 |
| 3.2 缓冲层受主陷阱对泄漏电流的影响 | 第41-45页 |
| 3.2.1 受主陷阱浓度对泄漏电流影响 | 第42-44页 |
| 3.2.2 受主陷阱能级对泄漏电流影响 | 第44-45页 |
| 3.3 缓冲层受主陷阱对输出特性的影响 | 第45-47页 |
| 3.4 缓冲层厚度对泄漏电流影响 | 第47-48页 |
| 3.5 本章小结 | 第48-50页 |
| 第四章 栅场板与间断型漏场板复合结构的耐压研究 | 第50-66页 |
| 4.1 沟道电场峰值的成因分析 | 第50-52页 |
| 4.2 栅场板结构AlGaN/GaN HEMT仿真优化 | 第52-56页 |
| 4.2.1 栅场板的长度优化 | 第53-54页 |
| 4.2.2 钝化层的厚度优化 | 第54-56页 |
| 4.3 间断型漏场板对漏端电场峰值的调节作用 | 第56-58页 |
| 4.4 栅场板与间断型漏场板复合结构的优化结果总结 | 第58-59页 |
| 4.5 栅场板与间断型漏场板复合结构的提高击穿电压机理分析 | 第59-63页 |
| 4.5.1 栅场板平整电场的机理分析 | 第59-61页 |
| 4.5.2 间断漏场板调制电场的机理分析 | 第61-63页 |
| 4.6 栅场板与间断型漏场板复合结构的工艺流程 | 第63-64页 |
| 4.7 本章小结 | 第64-66页 |
| 第五章 总结和展望 | 第66-68页 |
| 参考文献 | 第68-74页 |
| 致谢 | 第74-76页 |
| 作者简介 | 第76-77页 |
