| 摘要 | 第5-7页 |
| Abstract | 第7-8页 |
| 第一章 绪论 | 第13-21页 |
| 1.1 GaN材料的研究及发展 | 第13-15页 |
| 1.1.1 GaN材料的基本特性 | 第13-14页 |
| 1.1.2 AlGaN/GaN异质结的研究与发展 | 第14-15页 |
| 1.2 非极性GaN HEMT的研究发展及问题 | 第15-19页 |
| 1.2.1 非极性氮化物的研究意义 | 第15-16页 |
| 1.2.2 非极性GaN的生长特性及面临问题 | 第16-17页 |
| 1.2.3 非极性GaN基器件各向异性的输运特性 | 第17-19页 |
| 1.3 本论文的工作及内容安排 | 第19-21页 |
| 第二章 非极性GaN基器件相关理论模型 | 第21-29页 |
| 2.1 GaN材料极性与非极性的差异 | 第21-22页 |
| 2.2 二维电子气的各向异性输运理论 | 第22-24页 |
| 2.3 非极性GaN基器件的散射机制 | 第24-27页 |
| 2.4 非极性面AlGaN/GaN异质结的研究基础 | 第27-29页 |
| 第三章 各向异性散射影响下的非极性面AlGaN/GaN异质结 2DEG迁移率 | 第29-41页 |
| 3.1 非极性面AlGaN/GaN异质结界面的三种各向异性散射 | 第29-30页 |
| 3.2 各向异性散射对 2DEG影响的基本模型 | 第30-36页 |
| 3.2.1 条纹/线状散射中心的基本模型 | 第30-34页 |
| 3.2.2 三种散射机制的 2DEG迁移率模型 | 第34-36页 |
| 3.3 三种散射机制对 2DEG迁移率的影响 | 第36-41页 |
| 第四章 基底堆垛层错影响下的非极性面AlGaN/GaN异质结 2DEG迁移率 | 第41-53页 |
| 4.1 基底堆垛层错影响 2DEG迁移率的理论模型 | 第41-47页 |
| 4.1.1 基底堆垛层错的物理模型 | 第41-42页 |
| 4.1.2 非极性面AlGaN/GaN异质结 2DEG迁移率模型 | 第42-47页 |
| 4.2 基底堆垛层错的特征参数随 2DEG浓度的变化 | 第47-48页 |
| 4.3 基底堆垛层错对 2DEG迁移率的影响 | 第48-53页 |
| 4.3.1 基底堆垛层错及其他散射对 2DEG迁移率的影响 | 第48-51页 |
| 4.3.2 电场方向对 2DEG迁移率和隧穿几率的影响 | 第51-53页 |
| 第五章 总结 | 第53-55页 |
| 参考文献 | 第55-59页 |
| 致谢 | 第59-61页 |
| 作者简介 | 第61-62页 |
| 1. 基本情况 | 第61页 |
| 2. 教育背景 | 第61页 |
| 3. 攻读硕士学位期间的研究成果 | 第61-62页 |
| 3.1 发表学术论文 | 第61-62页 |
