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场效应器件
AlGaN/AlN/GaN异质结场效应晶体管中极化库仑场散射制变温研究
基于先进半导体器件模型仿真的单粒子效应研究
GaN基凹槽栅MOSFET器件设计与制备技术研究
600V超结VDMOS器件的设计
电子倍增CCD成像性能测试系统研究
增强型高压AlGaN/GaN HEMTs器件的场优化技术及关键工艺研究
碳化硅MOSFET的特性研究
P型栅极高电子迁移率晶体管可靠性研究
基于CBCM方法的MOSFET寄生电容测量方法设计
高压SiC JFET器件的设计、制备与应用研究
EMCCD成像组件研究
一种通用型EMCCD驱动系统
高压大功率GaN器件开关过程振荡问题分析及应用设计研究
基于SOI结构的多面栅晶体管模型计算
氮化镓基高电子迁移率晶体管电学可靠性研究
GaN HEMT微波器件大信号统计模型研究
薄层SOI高压LDMOS背栅调制模型与特性研究
新型可集成横向功率器件以及分立纵向功率器件的研究
超结功率器件等效衬底模型与非全耗尽工作模式研究
有机场效应晶体管非易失性存储器的电荷存储机制研究
功率MOSFET的开关动态过程建模和优化控制方法研究
用于饮用水中有害阴离子检测的GaN基HEMT传感器的研究
SOI MOS晶体管伽马瞬时电离辐射模型研究
SOI MOS器件辐射效应的机理与可靠性研究
单轴应变Si NMOSFET模型及模拟技术研究
CMOS反相器和GaAs HEMT器件的HPM效应研究
氮化镓HEMT结构肖特基二极管机理及E/D模集成电路研究
氮化镓基半导体电力电子器件击穿机理研究
基于驱动时序的CCD曝光时间控制技术研究
N极性GaN HEMT的GaN/AlGaN异质结基础研究
GaN基HEMT器件的性能研究与设计优化
新型有机小分子场效应晶体管器件的制备及性能研究
射频大功率场效应器件的非线性模型及其应用
激光辐照破坏CCD的微观机理分析
基于EMCCD成像器的信息采集处理系统硬件设计
Al2O3/4H-SiC MOS结构制备及相关性能研究
Ka波段GaN HEMT单片集成单刀双掷开关的设计
高迁移率沟道器件的可靠性及输运特性的研究
基于三层绝缘层的柔性有机场效应晶体管的制备与研究
基于新型纳米场效应管的纳电子电路的研究
新型纳米器件及其应用电路建模分析
基于喷墨打印有机场效应晶体管器件性能研究
功率LDMOS的静电防护设计改进
基于并五苯和P13的双极型有机场效应发光晶体管的研究
喷墨打印制备有机场效应晶体管及其性能的研究
极化库仑场散射对AlGaN/GaN电子器件特性影响研究
氮化镓高电子迁移率晶体管的参数提取与灵敏度分析
新型MOSFET器件结构设计、建模及特性模拟
新型纳米器件的性能研究与建模
片上传输线模型与GaN HEMT小信号模型研究
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