当前位置：
首页
--
工业技术
--
无线电电子学、电信技术
--
半导体技术
--
场效应器件
高功率GaN HEMT器件建模研究
高压LDMOS设计中关键技术的研究
AlGaN/GaN MIS-HEMT功率开关器件电学特牲研究
短沟道双栅和围栅MOSFET的建模和电学特性研究
PIN隧穿场效应晶体管的特性分析与设计优化
无结场效应晶体管的特性分析与优化设计
还原氧化石墨烯基新型场效应晶体管和二极管的创制及其传感应用
碳化硅MOSFET三相逆变器研究
基于FPGA的线阵CCD成像处理系统研究
基于MET的高压VDMOS器件模型研究
抗辐照SOI MOSFET模型研究
基于PSP扩展的SOI MOSFET模型研究
高k介质/金属栅锑化镓MOS器件关键技术研究
功率MOSFET的失效分析及其驱动设计
基于FPGA的三倍硬件插值CCD信号处理电路研究
焊接层空洞比例对功率场效应管器件的性能影响研究
半超结型VDMOS的设计与仿真优化
新型场效应晶体管的研究与制备
CCD光电参数测试方法研究及系统设计
溶液化制备有机场效应晶体管的研究
接触电阻对有机场效应晶体管性能影响的研究
酞菁铜衍生物有机场效应晶体管的研究
AlGaN/GaN HEMT击穿特性与场板结构分析
激光对CMOS和CCD的辐照效应对比研究
有机场效应晶体管及有机光敏场效应晶体管的制备与研究
SOI高压工艺下器件的特性表征与分析
功率MOSFET的UIL筛查能力研究
集成电路工艺中Power MOS失效模式及改善方法研究
基于稀疏表示的CCD噪声估计及滤除
铁电/氮化镓异质结及其场效应晶体管
GaN基电子器件中极化库仑场散射机制研究
短沟道双栅和围栅MOSFET的模拟研究
有机场效应管制备与研究--溶剂蒸汽辅助制备介质层的研究
酞菁铜单晶微纳场效应晶体管在气体传感器中的应用基础研究
基于高k栅介质的Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体MOS器件研究
隧穿场效应晶体管和InGaAs场效应晶体管的可靠性研究
SOI CMOS器件的总剂量辐射效应模拟及其加固设计
基于Pentacene层厚对C60有机场效应晶体管功能调控的研究
高性能小分子有机光敏场效应管研究
基于溶液方法的有机场效应晶体管研究
校靶镜检定系统的光学系统设计
毫秒脉冲激光辐照CCD图像探测器的热应力研究
基于线阵CCD的视频合成及测量系统研究
EMCCD驱动电路设计与优化
石墨烯场效应晶体管设计加工及特性研究
面阵探测器子阵列分割与并行输出技术研究
基于线阵相机的目标探测性能研究
基于BSIM3v3对VDMOS模型的研究
抗辐射SOI CMOS器件结构的研究与设计
应变Si NMOS器件集约模型研究
上一页
[19]
[20]
[21]
[22]
[23]
下一页
