| 摘要 | 第4-5页 |
| Abstract | 第5-6页 |
| 第1章 绪论 | 第9-19页 |
| 1.1 场效应晶体管 | 第9-12页 |
| 1.1.1 场效应晶体管的简介 | 第10-11页 |
| 1.1.2 场效应晶体管原理的简介 | 第11-12页 |
| 1.2 铁电场效应晶体管 | 第12-14页 |
| 1.2.1 铁电场效应晶体管的发展历程 | 第13页 |
| 1.2.2 铁电场效应晶体管各层材料的选择 | 第13-14页 |
| 1.3 石墨烯沟道铁电场效应晶体管 | 第14-17页 |
| 1.3.1 石墨烯材料晶体结构及电子能带结构 | 第14-16页 |
| 1.3.2 石墨烯作为FeFET沟道层的优势 | 第16页 |
| 1.3.3 石墨烯沟道铁电场效应晶体管的研究现状及存在问题 | 第16-17页 |
| 1.4 选题依据和主要工作 | 第17-19页 |
| 1.4.1 本文选题依据 | 第17页 |
| 1.4.2 本文主要工作 | 第17-19页 |
| 第2章 石墨烯沟道铁电场效应晶体管电学性能模型的建立与分析 | 第19-31页 |
| 2.1 引言 | 第19页 |
| 2.2 石墨烯沟道铁电场效应晶体管基本模型的建立 | 第19-27页 |
| 2.2.1 模型建立的基本思路和方法 | 第19-25页 |
| 2.2.2 石墨烯沟道铁电场效应晶体管C-V特性模型 | 第25-26页 |
| 2.2.3 石墨烯沟道铁电场效应晶体管输出特性模型 | 第26-27页 |
| 2.3 石墨烯沟道铁电场效应晶体管电学性能的模拟 | 第27-29页 |
| 2.3.1 石墨烯沟道铁电场效应晶体管C-V特性模拟 | 第27-29页 |
| 2.3.2 石墨烯沟道铁电场效应晶体管输出特性模拟 | 第29页 |
| 2.4 本章小结 | 第29-31页 |
| 第3章 基底材料对石墨烯沟道铁电场效应晶体管电学性能的影响 | 第31-37页 |
| 3.1 引言 | 第31页 |
| 3.2 基底材料对石墨烯沟道层费米速度的调控 | 第31-33页 |
| 3.3 基底材料对MFG-FET C-V特性的影响 | 第33-34页 |
| 3.4 基底材料对MFG-FET输出特性的影响 | 第34-35页 |
| 3.5 小结 | 第35-37页 |
| 第4章 铁电层对石墨烯沟道铁电场效应晶体管电学性能的影响 | 第37-47页 |
| 4.1 引言 | 第37页 |
| 4.2 铁电层厚度对MFG-FET电学性能的影响 | 第37-40页 |
| 4.2.1 铁电层厚度对MFG-FET C-V特性的影响 | 第37-38页 |
| 4.2.2 铁电层厚度对MFG-FET存储窗口的影响 | 第38-39页 |
| 4.2.3 铁电层厚度对MFG-FET输出特性的影响 | 第39-40页 |
| 4.3 铁电层材料介电性能对MFG-FET电学性能的影响 | 第40-43页 |
| 4.3.1 铁电层材料介电性能对MFG-FET C-V特性的影响 | 第40-42页 |
| 4.3.2 铁电层材料介电性能对MFG-FET存储窗口的影响 | 第42页 |
| 4.3.3 铁电层材料介电性能对MFG-FET输出特性的影响 | 第42-43页 |
| 4.4 铁电层极化对MFG-FET存储窗口的影响 | 第43-45页 |
| 4.4.1 铁电层自发极化对MFG-FET存储窗口的影响 | 第43-44页 |
| 4.4.2 铁电层剩余极化对MFG-FET存储窗口的影响 | 第44-45页 |
| 4.5 本章小结 | 第45-47页 |
| 第5章 总结与展望 | 第47-49页 |
| 5.1 论文总结 | 第47-48页 |
| 5.2 研究展望 | 第48-49页 |
| 参考文献 | 第49-55页 |
| 致谢 | 第55-56页 |
| 个人简历 | 第56页 |
| 攻读硕士学位期间发表的论文及专利 | 第56页 |
