SOI FinFET器件与组合逻辑电路单粒子效应研究
| 摘要 | 第5-6页 |
| ABSTRACT | 第6-7页 |
| 符号对照表 | 第11-12页 |
| 缩略语对照表 | 第12-15页 |
| 第一章 绪论 | 第15-29页 |
| 1.1 抗辐照研究意义 | 第15-16页 |
| 1.2 辐照环境介绍 | 第16-17页 |
| 1.3 器件工艺发展 | 第17-20页 |
| 1.3.1 平面工艺的限制 | 第17页 |
| 1.3.2 非平面工艺 | 第17-20页 |
| 1.4 器件的辐照效应 | 第20-24页 |
| 1.4.1 总剂量效应 | 第20页 |
| 1.4.2 单粒子效应 | 第20-22页 |
| 1.4.3 SOI器件及其辐照效应 | 第22-24页 |
| 1.5 单粒子效应对逻辑电路的影响 | 第24-25页 |
| 1.6 国内外研究现状 | 第25-26页 |
| 1.7 本文主要研究内容 | 第26-29页 |
| 第二章 FinFET单粒子效应及其仿真 | 第29-37页 |
| 2.1 影响单粒子效应的因素 | 第29-30页 |
| 2.2 器件仿真基础 | 第30-31页 |
| 2.3 FinFET单粒子效应仿真方法 | 第31-35页 |
| 2.4 利用Sentaurus进行混合仿真 | 第35页 |
| 2.5 本章小结 | 第35-37页 |
| 第三章 SOI FinFET单粒子特性仿真 | 第37-53页 |
| 3.1 FinFET器件模型的建立 | 第37-40页 |
| 3.2 FinFET单粒子效应仿真 | 第40-51页 |
| 3.2.1 不同LET值 | 第40-44页 |
| 3.2.2 不同入射位置 | 第44-48页 |
| 3.2.3 不同漏端电压 | 第48-49页 |
| 3.2.4 不同温度 | 第49-51页 |
| 3.3 本章小结 | 第51-53页 |
| 第四章 反相器及组合电路的单粒子效应 | 第53-69页 |
| 4.1 反相器电路及其单粒子效应 | 第53-56页 |
| 4.2 抗单粒子加固的反相器结构 | 第56-65页 |
| 4.3 单粒子效应的系统级加固 | 第65-68页 |
| 4.4 本章小结 | 第68-69页 |
| 第五章 总结与展望 | 第69-71页 |
| 5.1 研究总结 | 第69-70页 |
| 5.2 研究展望 | 第70-71页 |
| 参考文献 | 第71-75页 |
| 致谢 | 第75-77页 |
| 作者简介 | 第77-78页 |
