| 摘要 | 第5-6页 |
| abstract | 第6页 |
| 第一章 绪论 | 第9-15页 |
| 1.1 研究工作背景与意义 | 第9-11页 |
| 1.2 国内外研究现状和动态 | 第11-13页 |
| 1.2.1 高压LDMOS器件的发展 | 第11-12页 |
| 1.2.2 硅极限模型的发展 | 第12-13页 |
| 1.3 本论文的主要工作 | 第13-15页 |
| 第二章 高压LDMOS的基本结构和耐压原理 | 第15-26页 |
| 2.1 高压LDMOS的基本结构 | 第15-19页 |
| 2.1.1 RESURF LDMOS基本结构 | 第15-17页 |
| 2.1.2 超结LDMOS基本结构 | 第17-19页 |
| 2.2 高压LDMOS的耐压原理 | 第19-23页 |
| 2.3 线性变掺杂技术 | 第23-25页 |
| 2.4 本章总结 | 第25-26页 |
| 第三章 具有线性变掺杂N-top层的triple RESURF LDMOS | 第26-45页 |
| 3.1 具有线性变掺杂N-top层的triple RESURF体硅LDMOS器件 | 第26-28页 |
| 3.2 具有线性变掺杂N-top层的triple RESURF LDMOS的掺杂分布 | 第28-29页 |
| 3.3 具有线性变掺杂N-top层的triple RESURF LDMOS结构优化 | 第29-40页 |
| 3.3.1 新型器件的L_1和L_2的优化 | 第29-32页 |
| 3.3.2 新型器件的Ns和线性变掺杂的浓度梯度Gradient的优化 | 第32-37页 |
| 3.3.3 新型器件、N-top层triple RESURF LDMOS以及传统结构的对比 | 第37-40页 |
| 3.4 线性变掺杂N-top层的triple RESURF LDMOS工艺流程的设计 | 第40-43页 |
| 3.5 本章小结 | 第43-45页 |
| 第四章 具有N-top层的triple RESURF LDMOS的R_(on,sp)和BV模型 | 第45-62页 |
| 4.1 具有均匀高掺杂N-top层的triple RESURF体硅LDMOS器件结构 | 第45-46页 |
| 4.2 均匀掺杂N-top层的triple RESURF LDMOS器件的模型推导 | 第46-50页 |
| 4.3 N-top层的triple RESURF LDMOS不同温度的模型推导及拟合 | 第50-58页 |
| 4.3.1 N-top层的triple RESURF LDMOS不同温度的模型推导 | 第50-54页 |
| 4.3.2 N-top层的triple RESURF LDMOS不同温度的实验测试结果 | 第54-57页 |
| 4.3.3 N-top层的triple RESURF LDMOS的模型与实验结果的拟合 | 第57-58页 |
| 4.4 N-top层的triple RESURF LDMOS结构在LED驱动电路中的应用 | 第58-60页 |
| 4.5 本章小结 | 第60-62页 |
| 第五章 结论 | 第62-64页 |
| 致谢 | 第64-65页 |
| 参考文献 | 第65-68页 |
| 攻读硕士学位期间取得的研究成果 | 第68-69页 |
