| 摘要 | 第4-5页 |
| ABSTRACT | 第5-6页 |
| 第1章 引言 | 第9-21页 |
| 1.1 研究背景与意义 | 第9-16页 |
| 1.1.1 CMOS功率的缩放规则 | 第12-13页 |
| 1.1.2 传统CMOS的极限与局限 | 第13-16页 |
| 1.2 隧穿场效应晶体管的基本特性 | 第16-18页 |
| 1.3 隧穿场效应晶体管的研究现状 | 第18-19页 |
| 1.4 本论文主要研究内容 | 第19页 |
| 1.5 本论文结构安排 | 第19-21页 |
| 第2章 隧穿场效应晶体管的隧穿模型 | 第21-57页 |
| 2.1 带间隧穿(BTBT)模型——Kane公式 | 第21页 |
| 2.2 殊途同归——WKB近似 | 第21-33页 |
| 2.2.1 一维的WKB近似 | 第22-29页 |
| 2.2.2 虚波矢色散关系 | 第29-31页 |
| 2.2.3 三维隧穿的复杂性 | 第31页 |
| 2.2.4 带间隧穿电流 | 第31-32页 |
| 2.2.5 局部隧穿模型 | 第32-33页 |
| 2.3 Sentaurus TCAD中的隧穿模型 | 第33-56页 |
| 2.3.1 产生/复合中的带间隧穿模型 | 第34-38页 |
| 2.3.2 动态非局部路径带间模型 | 第38-42页 |
| 2.3.3 Fowler-Nordheim隧穿模型 | 第42-44页 |
| 2.3.4 直接隧穿模型 | 第44-47页 |
| 2.3.5 非局部隧穿模型 | 第47-56页 |
| 2.4 本章小结 | 第56-57页 |
| 第3章 基于量子输运理论的有限元仿真 | 第57-79页 |
| 3.1 非平衡Green函数方法(NEGF)简介 | 第57-66页 |
| 3.1.1 基本方程 | 第57-59页 |
| 3.1.2 有限差分方法 | 第59-61页 |
| 3.1.3 边界条件 | 第61-63页 |
| 3.1.4 局部态密度 | 第63-64页 |
| 3.1.5 电荷密度 | 第64-65页 |
| 3.1.6 电流 | 第65-66页 |
| 3.1.7 自洽计算 | 第66页 |
| 3.2 仿真软件NEMO5的介绍 | 第66-78页 |
| 3.2.1 量子输运边界方法(QTBM)的介绍 | 第67-68页 |
| 3.2.2 软件NEMO5的仿真输入文件 | 第68-75页 |
| 3.2.3 量子输运边界方法(QTBM)的参数 | 第75-78页 |
| 3.3 本章小结 | 第78-79页 |
| 第4章 带间隧穿方向对隧穿电流的影响 | 第79-89页 |
| 4.1 硅锗带间隧穿产生率的计算 | 第79-83页 |
| 4.2 TCAD中锗硅的仿真设置 | 第83-86页 |
| 4.3 硅锗隧穿场效应晶体管的仿真结果 | 第86-88页 |
| 4.3.1 带间隧穿产生率 | 第86-87页 |
| 4.3.2 带间隧穿电流 | 第87-88页 |
| 4.4 本章小结 | 第88-89页 |
| 第5章 一种含附加栅的L型隧穿场效应晶体管 | 第89-97页 |
| 5.1 L型隧穿场效应晶体管及其附加栅结构 | 第89-90页 |
| 5.2 原型与附加栅型的仿真结果 | 第90-94页 |
| 5.3 L型栅极的原型与附加栅的仿真结果 | 第94-96页 |
| 5.4 本章小结 | 第96-97页 |
| 第6章 总结与展望 | 第97-98页 |
| 参考文献 | 第98-102页 |
| 致谢 | 第102-103页 |
| 附录 | 第103-121页 |
| 个人简历、在学期间发表的学术论文与研究成果 | 第121页 |