| 创新之处 | 第5-6页 |
| 中文摘要 | 第6-8页 |
| 英文摘要 | 第8-9页 |
| 第一章 有机场效应晶体管的发展历程和应用 | 第10-26页 |
| 1.1 有机场效应晶体管的发展历程 | 第11-14页 |
| 1.2 有机场效应晶体管的应用 | 第14-20页 |
| 1.2.1 在射频识别标签中的应用 | 第14页 |
| 1.2.2 在传感器中的应用 | 第14-18页 |
| 1.2.3 在显示器中的应用 | 第18-20页 |
| 1.3 本论文的研究内容 | 第20页 |
| 参考文献 | 第20-26页 |
| 第二章 有机场效应晶体管的器件物理、材料和性能 | 第26-87页 |
| 2.1 有机场效应晶体管的器件物理 | 第26-32页 |
| 2.1.1 有机场效应晶体管的结构 | 第26页 |
| 2.1.2 有机场效应晶体管的工作原理 | 第26-29页 |
| 2.1.3 有机场效应晶体管的分类 | 第29-30页 |
| 2.1.4 有机场效应晶体管的性能参数 | 第30-32页 |
| 2.2 有机场效应晶体管的材料 | 第32-60页 |
| 2.2.1 有机半导体材料 | 第32-51页 |
| 2.2.2 有机场效应晶体管的绝缘层材料 | 第51-60页 |
| 2.2.3 有机场效应晶体管的电极材料 | 第60页 |
| 2.3 有机场效应晶体管的制备技术 | 第60-64页 |
| 2.3.1 真空沉积技术 | 第61页 |
| 2.3.2 溶液成膜技术 | 第61-62页 |
| 2.3.3 LB (Langmuir-Blodgeet)膜技术 | 第62-63页 |
| 2.3.4 印刷技术 | 第63页 |
| 2.3.5 单晶技术 | 第63-64页 |
| 2.4 有机半导体的电荷传输机制 | 第64-65页 |
| 2.4.1 跃迁模型 | 第64-65页 |
| 2.4.2 多重捕获和释放模型 | 第65页 |
| 2.5 影响有机场效应晶体管性能的因素 | 第65-70页 |
| 2.5.1 有机半导体纯度 | 第65-66页 |
| 2.5.2 有机半导体层的结构和形貌 | 第66-69页 |
| 2.5.3 金属/半导体和半导体/绝缘层界面 | 第69-70页 |
| 参考文献 | 第70-87页 |
| 第三章 高性能酞菁铜场效应晶体管的构筑:压力诱导的优化分子排列法 | 第87-106页 |
| 3.1 概述 | 第87-88页 |
| 3.2 酞菁铜场效应晶体管的构筑 | 第88-91页 |
| 3.3 酞菁铜场效应晶体管的性能 | 第91-101页 |
| 3.4 本章小结 | 第101-102页 |
| 参考文献 | 第102-106页 |
| 第四章 高性能并五苯场效应晶体管的构筑 | 第106-133页 |
| 4.1 沉积压力对并五苯薄膜的形貌、结构和电性能的影响 | 第106-114页 |
| 4.1.1 概述 | 第106页 |
| 4.1.2 并五苯薄膜及其场效应器件的制备 | 第106-108页 |
| 4.1.3 并五苯薄膜的形貌、结构和电性能 | 第108-114页 |
| 4.1.4 小结 | 第114页 |
| 4.2 通过引入酞菁插入层构筑高性能的并五苯场效应晶体管 | 第114-122页 |
| 4.2.1 概述 | 第114-115页 |
| 4.2.2 MPcs插入层并五苯场效应晶体管的构筑 | 第115-118页 |
| 4.2.3 MPcs插入层并五苯场效应晶体管的性能 | 第118-122页 |
| 4.2.4 小结 | 第122页 |
| 4.3 高性能的pentacene/CuPc夹层结构场效应晶体管 | 第122-128页 |
| 4.3.1 概述 | 第122-123页 |
| 4.3.2 Pentacene/CuPc夹层结构场效应晶体管件的构筑 | 第123-125页 |
| 4.3.3 Pentacene/CuPc夹层结构场效应晶体管件的性能 | 第125-127页 |
| 4.3.4 小结 | 第127-128页 |
| 参考文献 | 第128-133页 |
| 全文总结和展望 | 第133-134页 |
| 攻博期间概况 | 第134-135页 |
| 致谢 | 第135-136页 |
