| 摘要 | 第4-6页 |
| ABSTRACT | 第6-7页 |
| 第一章 引言 | 第10-22页 |
| 1.1 先进制程CMOS器件的可靠性介绍 | 第10-11页 |
| 1.2 集成电路可靠性的研究方法 | 第11-15页 |
| 1.2.1 浴盆曲线 | 第11-12页 |
| 1.2.2 统计分布函数 | 第12-15页 |
| 1.2.3 寿命预测 | 第15页 |
| 1.3 小尺寸CMOS器件中的主要可靠性问题 | 第15-18页 |
| 1.4 本论文的研究内容和安排 | 第18-20页 |
| 参考文献 | 第20-22页 |
| 第二章 NBTI退化过程中的RTN现象 | 第22-39页 |
| 2.1 NBTI退化效应的物理机制 | 第22-28页 |
| 2.1.1 界面态产生 | 第24-27页 |
| 2.1.2 氧化层电荷缺陷产生和激活 | 第27-28页 |
| 2.2 NBTI退化的表征方法 | 第28-32页 |
| 2.2.1 线性外推法 | 第29-30页 |
| 2.2.2 On-the-fly和Delay-I_d快速测量法 | 第30-32页 |
| 2.3 NBTI现象中的RTN噪声 | 第32-34页 |
| 2.3.1 RTN噪声的物理机制和模型 | 第32-33页 |
| 2.3.2 RTN噪声对NBTI寿命预测的影响 | 第33-34页 |
| 2.4 本章小结 | 第34-36页 |
| 参考文献 | 第36-39页 |
| 第三章 氧化层陷阱对器件性能的影响 | 第39-47页 |
| 3.1 仿真模型 | 第40-41页 |
| 3.2 模拟结果 | 第41-45页 |
| 3.2.1 器件结构参数对△I_d的影响 | 第42-43页 |
| 3.2.2 陷阱位置和数目对△V_(th)的影响 | 第43-45页 |
| 3.3 本章小结 | 第45-46页 |
| 参考文献 | 第46-47页 |
| 第四章 小尺寸器件中NBTI退化数据处理及寿命预测 | 第47-70页 |
| 4.1 NBTI寿命预测和退化数据 | 第47-49页 |
| 4.2 基于传统平均法的退化数据处理 | 第49-52页 |
| 4.2.1 基于平均法的数据处理方法 | 第49-52页 |
| 4.2.2 平均法的不足 | 第52页 |
| 4.3 基于TVF(WITHIN-DEVICE FLUCTUATION)的退化数据处理 | 第52-58页 |
| 4.3.1 基于TVF的数据处理方法 | 第52-54页 |
| 4.3.2 数据最小值和噪声的加速退化因子 | 第54-57页 |
| 4.3.3 基于TVF方法的NBTI寿命预测 | 第57-58页 |
| 4.3.4 TVF数据处理方法的不足 | 第58页 |
| 4.4 基于一阶差分法的数据处理 | 第58-68页 |
| 4.4.1 基于一阶差分法的数据处理方法 | 第59-62页 |
| 4.4.2 平均值和噪声的加速退化因子 | 第62-64页 |
| 4.4.3 基于一阶差分法的NBTI寿命预测 | 第64-65页 |
| 4.4.4 基于不同数据处理方法的NBTI寿命比较 | 第65-68页 |
| 4.5 本章小结 | 第68-69页 |
| 参考文献 | 第69-70页 |
| 第五章：总结与展望 | 第70-72页 |
| 5.1 总结 | 第70-71页 |
| 5.2 展望 | 第71-72页 |
| 硕士期间取得的学术成果 | 第72-73页 |
| 致谢 | 第73-74页 |
