| 摘要 | 第5-6页 |
| abstract | 第6-7页 |
| 第一章 绪论 | 第10-19页 |
| 1.1 引言 | 第10页 |
| 1.2 功率MOSFET的发展概述 | 第10-16页 |
| 1.2.1 传统MOSFET的发展历程 | 第11-14页 |
| 1.2.2 槽栅型MOSFET的发展历程 | 第14-16页 |
| 1.3 国内外现状与选题意义 | 第16-17页 |
| 1.4 本课题的主要研究内容 | 第17-19页 |
| 第二章 Split-gate DMOS原理分析 | 第19-32页 |
| 2.1 Split-gate DMOS主要特点 | 第19-20页 |
| 2.2 Split-gate DMOS的工作原理 | 第20-21页 |
| 2.3 Split-gate DMOS的静态特性 | 第21-26页 |
| 2.3.1 阈值电压 | 第21-22页 |
| 2.3.2 漏源击穿电压 | 第22-23页 |
| 2.3.3 跨导 | 第23-24页 |
| 2.3.4 导通电阻 | 第24-25页 |
| 2.3.5 输出特性 | 第25-26页 |
| 2.4 Split-gate DMOS的动态特性 | 第26-29页 |
| 2.4.1 栅电容 | 第26-27页 |
| 2.4.2 栅电荷 | 第27-29页 |
| 2.5 终端设计理论 | 第29-31页 |
| 2.5.1 深槽终端结构 | 第29-30页 |
| 2.5.2 split-gate DMOS常用终端结构 | 第30-31页 |
| 2.6 本章小结 | 第31-32页 |
| 第三章 50V N沟split-gate DMOS器件的结构设计 | 第32-45页 |
| 3.1 Split-gate DMOS结构设计指标 | 第32页 |
| 3.2 Split-gate DMOS元胞结构设计 | 第32-40页 |
| 3.2.1 元胞尺寸 | 第32-33页 |
| 3.2.2 漂移区参数 | 第33-34页 |
| 3.2.3 屏蔽栅参数 | 第34-36页 |
| 3.2.4 元胞宽度 | 第36-37页 |
| 3.2.5 元胞优化后仿真结果 | 第37-40页 |
| 3.3 Split-gate DMOS结构优势分析 | 第40-44页 |
| 3.3.1 Split-gate DMOS、CC-MOSFET和U-MOSFET的元胞结构 | 第40-41页 |
| 3.3.2 Split-gate DMOS、CC-MOSFET和U-MOSFET的电学参数对比 | 第41-44页 |
| 3.4 本章小结 | 第44-45页 |
| 第四章 基于 0.13μm工艺的 50V N沟split-gate DMOS工艺设计 | 第45-61页 |
| 4.1 Split-gate DMOS工艺步骤设计 | 第45-49页 |
| 4.1.1 流程设计 | 第45-47页 |
| 4.1.2 关键工艺步骤设计 | 第47-49页 |
| 4.2 Split-gate DMOS关键工艺参数设计 | 第49-56页 |
| 4.2.1 pbody区注入剂量 | 第49-52页 |
| 4.2.2 pbody区推结时间 | 第52-53页 |
| 4.2.3 外延层厚度 | 第53-54页 |
| 4.2.4 元胞仿真结果 | 第54-56页 |
| 4.3 Split-gate DMOS的终端设计 | 第56-58页 |
| 4.3.1 本文采用的终端结构 | 第56-57页 |
| 4.3.2 终端参数仿真 | 第57-58页 |
| 4.4 改良型元胞设计 | 第58-60页 |
| 4.5 本章小结 | 第60-61页 |
| 第五章 总结 | 第61-62页 |
| 致谢 | 第62-63页 |
| 参考文献 | 第63-65页 |
| 攻读硕士学位期间取得的成果 | 第65-66页 |
