| 摘要 | 第5-6页 |
| abstract | 第6页 |
| 第一章 绪论 | 第9-14页 |
| 1.1 研究背景 | 第9-10页 |
| 1.2 国内外研究现状 | 第10-12页 |
| 1.3 本文架构及主要工作 | 第12-14页 |
| 第二章 AlGaN/GaN增强型MISFET原理 | 第14-37页 |
| 2.1 GaN材料与异质结特性 | 第14-18页 |
| 2.1.1 GaN晶体结构 | 第14-15页 |
| 2.1.2 Al、Ga、In、N元素合金性质 | 第15-17页 |
| 2.1.3 GaN异质结原理 | 第17-18页 |
| 2.2 GaN晶圆衬底的选择与AlGaN/GaN MISFET的制备 | 第18-23页 |
| 2.2.1 GaN晶圆外延衬底 | 第18-19页 |
| 2.2.2 GaN晶圆外延技术 | 第19页 |
| 2.2.3 AlGaN/GaN MISFET制备关键技术 | 第19-23页 |
| 2.3 GaN异质结MISFET增强型技术 | 第23-34页 |
| 2.3.1 势垒调制技术 | 第23-29页 |
| 2.3.2 氟离子处理技术 | 第29-31页 |
| 2.3.3 凹槽栅技术 | 第31-32页 |
| 2.3.4 Fin式HEMT技术 | 第32-34页 |
| 2.4 GaN异质结金属-2DEG隧穿式增强型MISFET | 第34-36页 |
| 2.4.1 金属-2DEG结调制隧穿原理 | 第34-35页 |
| 2.4.2 GaN异质结金属-2DEG隧穿型MISFET特性 | 第35-36页 |
| 2.5 本章小结 | 第36-37页 |
| 第三章 侧槽栅硅基GaN隧穿型功率MISFET原理与建模 | 第37-61页 |
| 3.1 器件仿真工具与仿真模型 | 第37-40页 |
| 3.1.1 Sentaurus TCAD简介 | 第38-39页 |
| 3.1.2 仿真中的物理模型 | 第39-40页 |
| 3.2 SG-TFET结构与工作机理 | 第40-43页 |
| 3.2.1 SG-TFET结构与制备工艺 | 第40-42页 |
| 3.2.2 SG-TFET开关机理 | 第42-43页 |
| 3.3 SG-TFET的数理模型 | 第43-54页 |
| 3.3.1 SG-TFET隧穿结电势分布 | 第44-49页 |
| 3.3.2 SG-TFET栅电压调制隧穿结电流输运模型 | 第49-54页 |
| 3.4 SG-TFET的仿真分析 | 第54-60页 |
| 3.4.1 SG-TFET数理模型的仿真拟合 | 第54-58页 |
| 3.4.2 硅基GaN SG-TFET直流特性仿真分析 | 第58-60页 |
| 3.5 本章小结 | 第60-61页 |
| 第四章 基于硅基GaN功率MISFET的浅场板集成栅技术 | 第61-79页 |
| 4.1 凹槽栅技术与场板技术 | 第61-63页 |
| 4.2 高温干法高质量刻蚀工艺开发 | 第63-69页 |
| 4.3 浅场板集成栅技术MISFET原理与模型 | 第69-73页 |
| 4.3.1 浅场板集成栅MISFET原理 | 第69-71页 |
| 4.3.2 浅场板集成栅MISFET模型 | 第71-73页 |
| 4.4 基于浅场板集成栅技术的GaN-on-Si MISFET（SFG-FET）研究 | 第73-78页 |
| 4.4.1 硅基GaN SFG-FET直流特性特性研究 | 第73-77页 |
| 4.4.2 硅基GaN SFG-FET功能集成特性研究 | 第77-78页 |
| 4.5 本章小结 | 第78-79页 |
| 第五章 基于浅场板集成栅技术的功率MISFET型整流器开发 | 第79-97页 |
| 5.1 场效应型横向功率二极管 | 第79-80页 |
| 5.2 GA-SBD的原理与建模 | 第80-86页 |
| 5.2.1 GA-SBD的工作原理 | 第80-84页 |
| 5.2.2 GA-SBD的导通模型 | 第84-86页 |
| 5.3 GA-SBD正反向特性研究 | 第86-94页 |
| 5.3.1 GA-SBD的导通与开启电压 | 第86-90页 |
| 5.3.2 GA-SBD的反向耐压特性 | 第90-94页 |
| 5.4 浅场板集成栅技术的其他构型 | 第94-96页 |
| 5.5 本章小结 | 第96-97页 |
| 第六章 总结与展望 | 第97-99页 |
| 6.1 本文工作总结 | 第97-98页 |
| 6.2 下一步工作展望 | 第98-99页 |
| 致谢 | 第99-100页 |
| 参考文献 | 第100-108页 |
| 附录 | 第108-111页 |
| 攻读硕士学位期间取得的研究成果 | 第111-113页 |
