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场效应器件
基于磷化铟材料的三端电子器件建模研究
共轭聚合物的侧链对有机场效应晶体管性能的影响
垂直AlGaN/GaN HFETs耐压机理与新结构研究
新型终端LDMOS设计与工艺实现
光催化诱导的可再生场效应晶体管生物传感器的研制与应用
易集成的槽型低阻功率MOSFET研究
太赫兹波高速开关与匹配电路设计技术
沟道和漂移区正应变的LDMOS器件制作方案和优化
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SiC MOS界面氨等离子体处理及电学特性研究
新型有机小分子场效应晶体管的合成及性能研究
薄层SOI高压LDMOS器件模型与特性研究
700V BCD高压场控功率器件及集成技术研究
一种源端由InAs材料掺杂的双栅隧穿场效应晶体管的研究
VDMOS器件的自热效应及高温热载流子效应的研究
MOSFET源/漏电阻的分析与拟合计算
具有绝缘柱结构的双栅MOSFET的性能研究
隧穿场效应晶体管工艺及新结构的仿真研究
1200V碳化硅MOSFET的仿真设计和优化
基于超表面的光学波片和表面等离激元耦合器的设计
GeOI MOSFET器件模型及表面预处理技术研究
硅基光栅辅助反向耦合器的原理及应用研究
高k栅介质(In)GaAs MOS器件迁移率模型及表面处理工艺研究
GeOI MOSFET电特性模拟和Ge/高k栅介质界面特性研究
神经信号读取用生物敏场效应管的设计与仿真
Ti/Al/4H-SiC MOSFET欧姆接触电极研究
铪基高K栅的制备、物性及MOS器件性能研究
功率VDMOS设计与优化方法的研究
有机场效应晶体管新型聚合物半导体材料的合成及性能研究
三维增强型AlGaN/GaN HEMT的仿真分析
1200V SiC MOSFET与Si IGBT的短路可靠性对比和分析
InAs/AlSb高电子迀移率晶体管研究
4H-SiC MOSFET关键工艺开发与器件制作
石墨烯场效应晶体管的制备工艺与特性研究
单元抗辐射性能建模方法研究
SiC MOSFET开关损耗模型与新结构研究
GaN毫米波功率器件热电模型研究
感光栅极调控2DEG的GaN基HEMT的制备与研究
GaN HEMT器件测试与仿真研究
氮化镓基增强型MIS-HEMT器件及E/D-mode电路研究
等离子体刻蚀与GaN HEMT关键工艺技术研究
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硅基射频LDMOS器件结构设计与研究
FinFET SRAM中子辐射效应研究
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Y2O3/SiO2/4H-SiC堆栈栅介质MOS电容特性研究
Ka波段高效率GaN HEMT功率器件及电路
基于Sentaurus TCAD的AlGaN/GaN HEMT器件稳态及瞬态热模拟研究
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